电力电子装置电流检测与过流保护系统设计 - 图文

2026/1/20 2:54:26

第4章 系统软件设计

{

Current = ACS712ReadCurrent(ADCResult); // 根据ADC的转换结果计算出电流值

CurInt = Current*100; // 电流值*100以便显示 DisplaySevenSegment(CurInt); // 显示电流值 } -19-

}

东北电力大学自动化工程学院学士学位论文

第5章 过流保护系统设计

5.1 PT7M6lOl的结构及工作原理

PT7M6lOl是PerIComTechnology(百利通)公司的新产品,是一种可检测lOOmV超低电压的电压检测器。与一般电压检测器不同的是,它有独立的电源输入端VCC,供器件内部电路用,它是一种四端器件,如下图所示。图中Vcc是外接电源输入端、IN是被检测的电压输入端、GND是电源负端、OUT是检测结果输出端,输出电平信号[10]。

如图所示:

图5.1 PT7M6lOl引脚图

该器件的输出级有CMOS(推挽输出)及开漏输出两种结构。在CMOS输出结构中,又分成检测电压超过1OOmV时,输出为低电平的,称为CL型(在型号后缀中用CL表示);在检测电压超过lOOmV时)输出为高电平的称为CH型;在型号后缀中用CH表示)。开漏输出型在输入超过1OOmV时,输出低电平,称为NL型。三种不同结构如下图5.2所示[11]。

下面以CH型为例说明其工作原理。该器件由一个带滞后电压的比较器、反相器及由一个P-MOSFET及一个N-MOSFET组成的推挽输出级组成。被检测的电压输入比较器的同相端,1OOmV的基准电压输入比较器的反相端,比较器的输出电平信号经反相后输入输出级。当输入的检测电压从OmV升到1OOmV前,比较器输出低电平,经反相器输出高电平。这高电平使输出级的P-MOSFET截止,而使N-MOSFET导通,使OUT端输出低电平;当输入的检测电压上升到大于lOOmV后,比较器输出高电平,经反相器反相后输出低电平。这个低电平使输出级的N-MOSFET截止,而使P-MOSFET导通,则OUT输出

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第5章 过流保护系统设计

为高电平。即Vin>1OOmV,使Vout为高电平(H)的)称为CH型。CL型、NL型的工作原理读者可自行分析[12]

图5.2 CL型 CH型 NL型

当Vin>1OOmV后,若Vin电压下降到1OOmV时,0叶端输出仍为高电平,一直要到Vin降到90mV时,Vout才由高电平跳变到低电平,即有1OmV的滞后电压。这滞后电 压可避兔输入的检测电压有一些纹波电压时,使输出产生震荡[13]。CH型的输入输出特性如下图所示(其中箭头表示跳变的方向)。

图5.3 CH输入输出特性

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东北电力大学自动化工程学院学士学位论文

PT7M6101有SC70-4、SOT23-5及TO94三种封装供用户选择,分别用型号后缀C4、TA及N表示。例如CH型SOT23-5封装的型号为PT7M61O1CHTA。三种不同封装的引脚排列如下图所示。

图5.4 SC70-4、SOT23-5、TO94封装

PT7M61O1的主要参数:工作电压范围0.9~5.5V;静态电流大小与工作电压Vcc有关:Vcc=1.2V时为7.5μA、Vcc=1.8V时为9μA、Vcc=3.6V时为l6μA:检测电压的阆值电压VTH=lOOmV,在工作温度范围内,其精确度在lOOmV±3%范围内;推挽输出为高电平时,Vout≥0.8Vcc,输出为低电平时,Vcc≤0.2Vcc;滞后电压典型值为1OmV;工作温度范围为-40~+85℃。

5.2过流保护电路及工作原理

过流保护电路如下图所示。

图5.5 过流保护电路原理图

它是由P-MOSFET(VT1)、负载电阻(RL)、电流检测电阻(Rs)、CH型电压检测器(PT7M6101CHTA)、继电器(J)、驱动三极管(VT2)及LED等组成。其工作原理如下:接通

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