2012年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题
一．填空
1.内层电子有效质量比外层电子有效质量__ (大，小）
2.纯硅中掺入硼，在一定温度下，向__移动
A.
n上升，EiF向__移动，
n一定时，温度上升，EiFEV B.
EC C.
E D.EiF
3.深能级位于
Eg中央，对电子的俘获率__(大，小），空穴俘获率__(大，小），它是__(复
合中心，陷阱中心）
4.硅基MOS中，硅衬底与Si
O
2
界面处固定电荷__(正电，负电),表面能带向__弯曲（上，
下），平带电压向__移动（正轴，负轴）
5.热平衡时，
n与__和__有关。
i6.有效复合中心位于_____,有效陷阱中心位于____。
7.MIS强反型表面导电类型与体材料____(相关，不相关），增加降）。
8非简并硅空穴浓度与
n，ViT___(上升，下
ND的关系
A. B
C. D.
9.温度升高，对Pi与Ps的影响
二．1.画出直接复合与间接复试的能带图
2.金属与N型半导体形成阻挡层，反阻挡层能带图，并画出阻挡层的I-V特性曲线
3.理想MIS结构
4.列举几种制作PN结的不同方法
5.比较PN结与SDB有什么不同，VLSI中用哪个，为什么？
三．计算
1.掺杂浓度生率。
2.如图所示为MOS结构的C-V曲线的一部分， ①.判断半导体的类型 ②求氧化层的厚度
③求强反型层，耗尽层的宽度 ④当
N10cm=A/
173,少子寿命?=1?s，将少子全部清除，求电子空穴对的产
?0，
?rs，
?r0
已给出，
Ni上升时，C-V特性曲线如何变化，绘图并解释。
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四.问答
1.什么是直接复合，怎么判断净产生，净复合
2.PN结中雪崩击穿，隧道击穿击穿电压随温度变化的关系，怎么用实验证明是哪种击穿？
3.本征吸收长波限表达式，硅，砷化镓本征吸收跃迁有什么不同，写出选择定则表达式
4.（1）什么是光生伏特效应
（2）PN结太阳电池开路电压
（3）解释PN结注入发光
5.什么是异质结的超注入，高注入现象，具体应用有哪些？
VOC,短路电流
Isc随光强变化的关系
