电子线路基础第1章电子线路元器件1.5 场效应晶体管
1.5.1 结型场效应管1.5.2 绝缘栅场效应管1.5.3 场效应管的小信号模型
1.5.4 场效应管的主要参数
2015/12/161
hongfeng@nuaa.edu.cn
电子线路基础l.5.1 结型场效应管1. N沟道结型场效应管(1) 结构在一块N型半导体材料两边扩散高浓度的P型区(用P+表示)：栅极G：两边P+型区引出的两个欧姆电极并连在一起；源极S、漏极D：在N型半导体材料两端各引出的一个欧姆电极；导电沟道：两个PN结阻挡层之间的N型区域。2015/12/162hongfeng@nuaa.edu.cn电子线路基础2015/12/163
hongfeng@nuaa.edu.cn
电子线路基础工作原理：（1）uGS对iD的影响
当uGS由零向负值增大时，PN结的反向电压增大，耗尽层将加宽，使沟道变窄，沟道电阻增大，从而控制漏极与源极之间导电电阻的大小。
当uGS进一步增大到某一值UGS（off）（夹断电压）时，沟道被全部夹断，沟道电阻趋于无穷大。
2015/12/16
4
hongfeng@nuaa.edu.cn
