题 目 基于ADS的微波低噪声放大器的仿真设计 所属院(系) 物电学院 专业班级 电子1201 姓 名 石晟 学 号： 1213014014 指导老师 贾建科 完成地点 物电学院实验室
2016年6月5日
毕业设计（论文）
陕西理工学院毕业论文
毕业论文﹙设计﹚任务书
院(系) 物电学院 专业班级 电子信息工程 学生姓名 石晟
一、毕业论文﹙设计﹚题目 基于ADS的微波低噪声放大器的仿真设计 二、毕业论文﹙设计﹚工作自 2016 年 2 月 20 日 起至 2016 年 6 月 20 日止
三、毕业论文﹙设计﹚进行地点: 物电学院实验室 四、毕业论文﹙设计﹚的内容要求：
快速发展的无线通信对微波射频电路如低噪声放大器提出更高的性能.低噪声放大器(LNA)广泛应用于微波接收系统中,是重要器件之一,主要用来放大低电平信号,由于是自天线下来第一个进行信号处理的器件,LNA决定 了整个系统的噪声性能和电压驻波比VSWR,并对动态范围有着较大的影响.微波低噪声放大器的过程中，往往需要对驻波比和噪声性能参数指标进行处理。那么如何对这两个性能参数进行处理就成为低噪声放大器设计中的一个难点。这个难点的最好解决方法就是放在放大器输入输出匹配网络的设计中来解决。本设计是利用微波射频仿真软件ADS对微波低噪声放大器进行仿真设计，掌握微波射
频电路的工程设计理论和设计方法，提高专业素质和工程实践能力。其具体要求如下： 1、分析微波低噪声放大器的各项参数；
2、查找相关资料并翻译相关的英文资料；
3、设计一微波低噪声放大器，根据所选器件,设计相应偏置电路； 4、设计输入输出匹配电路，并利用仿真软件ADS对设计进行仿真验证。 进度安排:
2月20日─3月1日：查阅资料、完成英文资料翻译并准备开题报告 3月2日─4月1日：熟悉软件的使用并提交开题报告 4月2日─5月1日：完善开题报告、研究微波低噪声放大器的理论设计方法、并
建立偏置电路和匹配电路，进行期中检查。 5月2日─5月30日：利用软件建立微波低噪声放大器模型并进行仿真验证，准备验收。 6月1日─6月10日：撰写毕业设计论文并提交论文 6月11日─6月15日：毕业设计答辩。 毕业设计应收集资料及参考文献: [1]低噪声放大器(LNA)[J].通信技术,2016(01) [2]杨宇航.基于WCDMA直放站模拟预失真功率放大器的研究[D]电子科技大学，2009. [3]林志凯.具有内外置天线切换功能的新型双射频低噪放大电路的研究[D]广东工业大
学，2013. [4]郑磊.微波宽带低噪声放大器的设计.电子科技大学硕士学位论文. 2006. [5]孙安峰.微波低噪声放大器模块的设计与实现.西安电子科技大学硕士学位论文.2012. [6]方伟.800MHz 射频功率放大器的研制[D].南昌大学硕士学位论文.2007
指 导 教 师 系 (教 研 室) 系(教研室)主任签名 批准日期 接受论文 (设计)任务开始执行日期 学生签名
陕西理工学院毕业论文
基于ADS的微波低噪声放大器的仿真设计
学生：石晟
（陕西理工学院物理与电信工程学院电子信息工程专业电子1201班级，陕西 汉中 723000）
指导老师：贾建科
[摘要]低噪声放大器用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路,低噪声放大器也主要面向移动通信基础设施基站应用。基于此,提出微波低噪声放大器设计,运用先进设计系统（ADS）仿真软件设计一个基于BJT的低噪声放大器。本次设计选取惠普公司的AT32011晶体管，设计的主要指标为噪声系数小于3dB，增益系数大于11dB，输入驻波比小于1.7，输出驻波比小于2.2。给出了偏置电路、输入输出阻抗匹配电路。仿真结果表明噪声系数为1.756dB，增益11.909dB，输入驻波比1.681，输出驻波比2.007，满足设计指标要求。
[关键词]低噪声放大器 晶体管 噪声系数 ADS
陕西理工学院毕业论文
Simulation design of microwave low noise amplifier
based on the ADS
Shi Sheng
(Grade 12,Class 1,Major electronics and information engineering ，Electronics and information engineering Dept.，Shaanxi University of Technology，Hanzhong，723000，Shaanxi)
Tutor: Jia Jianke
Abstract:Low noise amplifier is used to all kinds of high or intermediate frequency radio receiver preamplifier, and sensitive electronic detection equipment, mainly low noise amplifier for mobile communications infrastructure base station applications. Based on this, this paper presents microwave low noise amplifier design, and designs a BJT-based low noise amplifier with advanced design system (ADS) simulation software. The design selected HP's AT32011 transistor. The main indicators for the noise factor of less than 3dB, gain greater than 11dB, input VSWR less than 1.7, the output VSWR less than 2.2. Given the bias circuit, the input and output impedance matching circuit. The simulation results show that the noise factor is 1.756dB, gain 11.909dB, input VSWR 1.681, 2.007 and output VSWR, and the design meet the design requirements. Key words:low noise amplifier transistor noise factor ADS
