A斑点指数(-1-11), B斑点指数(2-20)
3.其余斑点用矢量合成法标定
即 h3 = h1 + h2 =-1+2=1 k3 = k1 +k2 = -1-2=-3 L3 = L1 + L2 =1+0=1
4.用电子衍射公式核对
已知相机常数 K=25.41mm.A d1=k/R1=2.083A d2=K/R2=1.277A
36.已知Au为f.c.c.结构，a0=0.407nm，衍射环指数 （111）（200）（220），测得R1=17.6mm，R2=20.5mm，R3=28.5mm。求相机常数
R3 R2 R1 解:
1.由题得: R1=17.6mm R2=20.5mm R3=28.5mm
2.计算 R2 顺序比: R12:R22:R32=3:4:8
3.与 N 顺序比对照
则:R1,R2,R3分别对应(111),(200),(220)反射面. 4.故:d111,d200,d220可根据面间距公式确定,求出.
由 Rd=K,故相机常数:K1=R1 d111=20.7mmA; K2=R2 d200=21.0mmA; K3=R3 d220=20.6mmA;
则: 仪器常数K为上三者的平均值: K平均≈20.8
37、多晶原理及特征
电子束照射多晶、纳米晶体时，被照射区域包含很多晶粒，衍射成像原理与多晶X射线衍射相似不产生消光的晶面均有机会产生衍射。每一族衍射晶面对应的倒易点分布集合而成一半径为1/d的倒易球面，倒易球面与Ewald球的相惯线为园环。样品各晶粒{hkl}晶面族晶面的衍射线轨迹形成以入射电子束为轴、2q为半锥角的衍射圆锥，不同晶面族衍射圆锥2q不同，但各衍射圆锥共顶、共轴
特征：入射束辐照区为大量取向杂乱无章的细小晶粒多晶样品中各晶粒同名?HKL?面衍射线形成以入射电子束为轴、2?为半锥角的衍射圆锥。衍射圆锥与感光平面相交，得到半径为R的圆环。所以对应晶面的衍射花样为：衍射圆锥与荧光屏或照相底片的相交线（同心园环）。不同?HKL?衍射圆锥2?不同，但各衍射圆锥共顶、共轴。各衍射圆锥与感光平面相交得到一系列的同心圆，即为多晶电子衍射花样。 单晶样品：
当电子束照射到单晶薄膜样品，入射角2?很小，可以认为电子束近似平行于（HKL）晶面所在的晶带轴。
反射球很大，θ很小，在0*附近反射球近似为平面。
由于样品厚度非常小，发生衍射的晶面所对应的倒易点不再是几何点，而是沿样品厚度方向延伸成为倒易杆。
规则排列的衍射斑点。它是过倒易点阵原点的一个二维倒易面的放大像。R＝Kg
大量强度不等的衍射斑点。有些并不精确落在Ewald球面上仍能发生衍射，只是斑点强度较弱。倒易杆存在一个强度分布。
单晶衍射花样实际上是零层倒易平面的放大像。 单晶衍射花样的周期性
单晶电子衍射花样与二维零层倒易平面相似，具有周期性排列的特征，其基本单元 — 特征平行四边形 非晶：
39、衍射原理与花样特征
原理：
1、电子束照射多晶、纳米晶体时，被照射区域包含
很多晶粒，衍射成像原理与多晶X射线衍射相似。如图所示。 2、不产生消光的晶面均有机会产生衍射。
3、每一族衍射晶面对应的倒易点分布集合而成
一半径为1/d的倒易球面，倒易球面与Ewald球的相惯线为园环。 4、样品各晶粒{hkl}晶面族晶面的衍射线轨迹形成以入射电子 束为轴、2q为半锥角的衍射圆锥，不同晶面族衍射圆锥2q不同 ，但各衍射圆锥共顶、共轴。
特征：
1、入射束辐照区为大量取向杂乱无章的细小晶粒
2、多晶样品中各晶粒同名?HKL?面衍射线形成以入射电子束为轴、2?为半锥角的衍射圆锥。
3、衍射圆锥与感光平面相交，得到半径为R的圆环。
4、不同?HKL?衍射圆锥2?不同，但各衍射圆锥共顶、共轴。各衍射圆锥与感光平面相交得到一系列的同心圆，即为多晶电子衍射花样。
应用：利用已知结构物质的衍射环标定相机常数 40、方法有：（1）当已知晶体结构时，有：尝试校核法 R2比值法 2）未知晶体结构时，R2比值法推算点阵类型，再来采用尝试校核的方法 （3）标准花样对照法 （4）根据衍射斑点特征平行四边形的查表方法
42.晶带的零层倒易面。 每个衍射斑点是由一个衍射波造成的,该衍射波是一组特定取向的晶面对入射波衍射的结果,反应该组晶面的取向和面间距。在透射电镜中的电子衍射花样实际上就是晶体倒易平面的放大像,衍射点对应的就是倒易点
45、扫描电镜：AS-样品上扫描幅度，Ac-荧光屏上扫描幅度 放大倍数M=Ac/AS 46、
原子序数Z与背散射电子产额的关系如图。
Z<40，η对Z十分敏感。进行分析时，样品上原子序数
较高的区域中由于收集到的背散射电子数量较多，故在荧光屏 上的图象较亮。因此，利用原子序数造成的衬度 变化可以对各种金属和合金进行定性的成分分析。 二次电子成像原理
二次电子信号主要用于分析样品表面形貌（5－10 nm范围） 二次电子产额对微区表面的几何形状十分敏感，随入射束与试 样表面法线夹角增大，二次电子产额增大。 二次电子产生和 样品表面的不平坦之间的关系
47.扫描电镜的放大倍数与透射电镜的放大倍数相比有何特点？
透射电镜放大倍数没有扫描电镜大
48.为什么扫描电镜的分辨率和信号的种类有关？试将各种信号的分辨率高低作一比较。
扫描电镜的分辨率和信号的种类有关，这是因为不同信号的性质和来源不同， 作用的深度和范围不同。主要信号图像分辨率的高低顺为：扫描透射电子像（与扫描电子束 斑直径相 当） ≥二次电子像 （几 nm， 与扫描电子束斑直径
相当） >背散射电子像 （50-200nm） >吸收电 流像≈ 特征 X 射图像（100nm-1000nm） 。
信 号 二次电子 背散射电吸收电特征X射俄歇电子 子 子 1001000 线 ～1001000 ～ 分辨率nm
5～10 50～200 5～10 49.二次电子的成像和背散射电子的成像各有什么特点？
背散射电子像的衬度要比二次电子像的衬度大，二次电子一般用于形貌分析，背散射电子一般用于区别不同的相。
