如图，相控阵是由衰减器、移相器、放大器、低噪放组成。 相控阵器件通常由不同的工艺制造而成，不过现在多数采用标准CMOS工艺和硅锗（SiGe）工艺。“在毫米波相控阵/主动天线应用中，硅锗工艺已经得到了证明。”TowerJazz高级战略市场总监Amol Kalburge说。
\此外，硅锗材料可以把先进CMOS工艺和片上无源器件集成在一起，这样就减小系统级芯片（SoC）的面积以提高集成度，并在成本与性能的平衡上做到更好，”Kalburge说，“我们认为硅锗材料将在5G射频前端IC发挥重大作用，当然也会用到其他三-五价材料。”
（2）典型产品
awmf - 0108是一个高度集成硅四核5 g IC用于相控阵的应用程序。设备支持四个Tx / Rx辐射元素,包括所有必要的光束控制控制5阶段和增益控制,并以半双工方式运作,使单个天线同时支持Tx和Rx操作。设备提供24分贝增益和+ 9 dBm输出功率传输模式和31 dB的增益,5.0 dB NF - -28 dBm
IIP3在接收模式。附加功能包括增益补偿温度,温度报告、发射功率遥测,快速波束切换使用八片上束重量存储寄存器。设备功能ESD保护所有别针,+ 1.8 V电源操作,打包在48领先6 x6毫米QFN平面相控阵天线安装方便。
aws - 0101是一个高度集成硅四核5 g IC用于雷达和相控阵的应用程序。设备支持四个辐射元素,单波束传输,双光束接收和包括所有必要的光束控制控制6阶段和增益控制。设备提供了21个分贝增益在传输模式,在传输+ 15 dBm的输出功率,在收到3.4 dB NF。附加功能包括增益补偿温度,温度报告和快速波束切换使用八片上梁重量存储寄存器。设备特性ESD保护所有的针,从+ 1.8 v供应运作,打包在56领先7 x7 QFN平面相控阵天线安装方便。
aws - 0102是一个高度集成的四核硅集成电路用于卫星通信的应用程序。设备支持四双极化辐射元素完全可编程的极化的灵活性。设备提供22分贝噪声指数为3.4 dB的增益。附加功能包括对温度和温度报告获得补偿。芯片的ESD保护特性在所有别针,+ 1.8 V电源操作,包装在56领先7 x7 mm QFN平面相控阵天线安装方便
aws - 0103是一个高度集成硅四核5 g IC用于雷达和相控阵的应用程序。设备支持四个辐射元素,单波束传输,双光束接收和包括所有必要的光束控制控制6阶段和增益控制。该设备提供了21个分贝增益和+ 15 dBm的输出功率在传输
