山西省2019届高三3月高考考前适应性测试理科综合试题A卷(化学部分)

2026/4/28 15:45:55

ⅢA、VA族元素组成的化合物AlN、AIP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料。 回答下列问题:

(1)As基态原子的电子占据了___________个能层,最高能级的电子排布式为___________;和As位于同一周期,且未成对电子数也相同的元素还有___________种。

(2)元素周期表中与P紧邻的4种元素中电负性最大的是___________(填元索符号);Si、P、S三种元素的第一电离能由大到小的顺序是___________。

(3)已知AlN、AlP等半导体材料的晶体结构与单晶硅相似,则Al原子的杂化形式为___________;晶体结构中存在的化学键有___________(填标号)

A.离子键 B.σ键 C.π键 D.配位键

(4)砷化镓(GaAs)是继硅晶体之后研究最深入应用最广泛的半导体材料,它能直接将电能转变为光能,以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少。已知CaAs的品胞结构如右图,晶胞参数α=0.565mm,则Ga原子与As原子的核间距为___________pm(列式表示)。

36.[化学一选修5:有机化学基础](15分)

某有机反应中间体(X)的一种合成路线如图所示。

Ⅱ.G的相对分子质量为118,可由NCCH2CH2CN水解制得。 回答下列问题:

(1)A的化学名称为___________。

(2)反应②所需试剂条件分别为___________、___________。 (3)G的分子式为___________。

(4)X中含氧官能团的名称是___________。 (5)反应④的化学方程式为___________。

(6)写出符合下列条件的F的所有同分异构体的结构简式___________(不考虑立体异构)。 a.苯环上连有-NO2 .核磁共振氢谱有三组峰,且峰面积之比为6:3:2 (7)结合已有知识和相关信息,写出以CH3CHO为原料合成程图为___________(无机试剂任用)

的路线流


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