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这种监视CPU运行的电路称为Watchdog电路。
51系列单片机的复位（RST）引脚只要出现10ms以上的高电平，单片机就会实现复位，复位后程序的入口地址为0000H，单片机工作在寄存器0组，堆栈在片内RAM的08H单元建立，P0~P3口输出全为1，中断系统禁止工作。
与其它计算机一样，51系列单片机系统常常有上电复位和操作复位两种方法。所谓上电复位，是指计算机上电瞬间，要在RST引脚上出现宽度大于10ms三万正脉冲，使计算机进入复位状态，复位靠外部电路实现，常见的复位电路如图4-6所示。上电时+5V电源经R对C3充电，C3上电压建立的过程就是负脉冲的宽度，经倒相后，RST上出现正脉冲使单片机实现上电复位。按钮按下同样使RST实现高电平，实现了操作复位。
图4-6 常见复位电路 4.3 DS18B20简介及测温电路设计
美国MAXIM公司的子公司—Dallas半导体公司的数字温度传感器DS18B20是世界上第一片支持“一线总线”接口的温度传感器，在内部使用了板(ON一BOARD)专利技术。全部传感元件及转换电路集成在形如一只三级管的集成电路内。一线总线独特而且经济的特点，使用用户可轻松地组建传感器网络，为测量系统的构建引入全新概念。现在，新一代的DS18BZO体积更小、更经济、更灵活。使你可以充分发挥“一线总线”的优点。
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4.3.1 DS18B20 的性能特点
（1） 独特的单线接口仅需要一个端口引脚进行通讯；
（2） 在DS18B20中的每个器件上偶有独一无二的序列号，因此多个DS18B20可
以并联在唯一的三线上，实现多点组网功能； （3） 实际应用中不需要任何外部器件即可实现 （4） 可通过数据线供电，电压范围为3.0~5.5V； （5） 零待机功耗
（6） 数字温度计的分辨率用户可以从9位到12位选择 （7） 用户可定义的非易失性温度报警设置
（8） 报警搜索命令识别并标志超过程序限定温度（温度报警条件）的器件 （9） 负温度特性，电源极性接反时，温度计不会因发热而烧毁，但不能正常工
作、
4.3.2 DS18B20的外形和内部结构
DS18B20 内部结构主要由四部分组成：64 位光刻ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH 和TL、配置寄存器。
DS18B20 的管脚排列如图4-7所示: 引脚定义：
(1) DQ 为数字信号输入/输出端； (2) GND 为电源地；
(3) VDD 为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地）。
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图4-7 DS18B20 的管脚排列图
DS18B20采用3角PR-35封装或8角SOIC封装，其内部结构如图4-8所示：
64位 ROM 和 单线 接口 电流检测 存储器和控制器 温度敏感元件 高速 缓存 存储器 低温触发器TL 高温触发器TH 配置寄存器 8位CRC生成器
图4-8 DS18B20 内部结构图
DS18B20 有4 个主要的数据部件：
（1）光刻ROM 中的64 位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20 的地址序列码。64 位光刻ROM 的排列是：开始8 位（28H）是产品类型标号，接着的48 位是该DS18B20 自身的序列号，最后8 位是前面56 位的循环冗
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余校验码（CRC=X8+X5+X4+1）。光刻ROM 的作用是使每一个DS18B20 都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20 的目的。
（2） DS18B20 中的温度传感器可完成对温度的测量，以12 位转化为例：用16 位符号扩展的二进制补码读数形式提供，以0.0625℃/LSB 形式表达，其中S 为符号位。
表4-2 DS18B20 温度值格式表
Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 LS Byte 23 22 21 20 2-1 2-2 2-3 2-4 MS Byte S Bit15 Bit14 Bit13 Bit12 Bit11 Bit10 Bit 9 Bit 8 S S S S 26 25 24
这是 12 位转化后得到的12 位数据，存储在18B20 的两个8 比特的RAM 中，二进制中的前面5 位是符号位，如果测得的温度大于0，这5 位为0，只要将测到的数值乘于0.0625 即可得到实际温度；如果温度小于0，这5 位为1，测到的数值需要取反加1 再乘于0.0625 即可得到实际温度。
例如+125℃的数字输出为07D0H，+25.0625℃的数字输出为0191H，-25.0625℃的数字输出为FF6FH，-55℃的数字输出为FC90H。 （3）DS18B20 温度传感器的存储器
DS18B20 温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EEPRAM,后者存放高温度和低温度触发器TH、TL 和结构寄存器。
