《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部
班级 姓名 学号
第1章 二极管及其基本电路
基本知识点：1、半导体的基本概念； 2、PN结的形成及导电特性；
3、二极管的分类及特性；4、二极管电路的分析方法
重点：二极管的重要特性和典型电路的分析方法 难点：二极管电路的分析 一、基础题
1、判断下列说法的正、误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。
（1）本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。（ ）
（2）掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。（ ） （3）稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（ ），它不允许工作在正向导通状态（ ）。
2、二极管的最主要特性是 。
3、分析下示电路中硅二极管是导通还是截止的？输出电压VAO＝？
（a）
(b)
4、描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。 5、设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。在ID保持不变的条件下，当二极管的结温降低20℃，UD约为____。
A．0.55V B．0.6V C．0.65V D．0.75V
6、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如 和 等。
7、半导体中中存在两种载流子： 和 。纯净的半导体称为 ，它的导电能力《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部
很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种： 型半导体——多数载流子是 ； 型半导体——多数载流子是 。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 结，这是制造半导体器件的基础。
8、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
9、当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于漂移电流，耗尽层 。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层 。
10、 在常温下，硅二极管的门限电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V；锗二极管的门限电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V。 11、在常温下，发光二极管的正向导通电压约 V ， 高于 硅二极管的门限电压；考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在 mA。
12、二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。
13、半导体二极管就是利用一个 加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有 性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在 区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成 。 二．判断题
1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ × ）
2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（ √ ）
3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ）
4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ）
5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ） 6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（ × ） 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ） 三、选择题
《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部
1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ a ）。 a. 多数载流子扩散形成 b. 多数载流子漂移形成 c. 少数载流子漂移形成 d. 少数载流子扩散形成
2、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（ c ）。 a. 其反向电流增大 b. 其反向电流减小 c. 其反向电流基本不变 d. 其正向电流增大 3、稳压二极管是利用PN结的（ d ）。 a. 单向导电性 b. 反偏截止特性 c. 电容特性 d. 反向击穿特性
4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ c ）。 a. 10μA b. 15μA c. 20μA d. 40μA 5、变容二极管在电路中使用时，其PN结是（ b ）。 a. 正向运用 b. 反向运用 四、分析题
1、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？
2、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图中电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V。
《模拟电子技术》标准化作业—电气工程学院基础部
3、图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示_______图。
