第1章自测题、习题解答
自测题1一、选择题
1. 在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度 C 空穴浓度。
A. 大于 B. 小于 C. 等于
2. PN结在外加正向电压时，其载流子的运动中，扩散 A 漂移。
A. 大于 B. 小于 C. 等于
3. N型半导体的多数载流子是电子，因此它 C 。
A. 带负电荷 B. 带正电荷 C. 呈中性
4. 处于放大状态的晶体管，集电结的载流子运动形式 A 运动。
A. 只有漂移 B.只有扩散 C.兼有漂移和扩散
5. 当环境温度增加时，稳压二极管的正向电压将 B 。A.增大 B. 减小 C.不变 解：1、C 2、A 3、C 4、A 5、B 二、判断题
1．PN结加上反向电压时电流很小，是因为空间电荷减少了。（×）
2．当共射晶体管的集电极电流几乎不随集—射电压的变化而改变时，则称晶体管工作在饱和状态。（×）
3．P型半导体中空穴占多数，因此它带正电荷。（×） 4．晶体管有电流放大作用，因此它具有能量放大作用。（×）
5. 二极管正向偏置时，PN结的电流主要是多数载流子的扩散运动。（√） 6. 结型场效应管的漏源电压uDS大于夹断电压UP后，漏极电流iD将为零。（×） 解：1、× 2、× 3、× 4、× 5、√ 6、×
三、二极管电路如图T1－3所示，写出各电路的输出电压值。设uD =0.7V。
(a) (b) (c)
R+5V-D-3V++UO4-D-3V+R+5V-+UO5-D-5V++R-3V+UO6-+5V-D+RUO1-+5V-RD+UO2-+5V-D+3V-R+UO3-
(d) (e) (f)
图T1－3
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解：(a) 二极管截止，故uo1 =0V
（b）二极管导通，故uo2 =5－0.7=4.3V (c) 二极管导通，故uo3 =3＋0.7=3.7V (d) 二极管截止，故uo4=5V
(e) 二极管导通，故uo5 =0.7－3=－2.3V (f) 二极管截止，故uo6 =－3V 四、稳压二极管电路如图T1－4所示，已知DZ1、DZ2的稳定电压分别为UZ1=5V， UZ2 =8V，试求输出电压UO1，UO2。
DZ1+Ui=15V-R1R2R1
DZ2+UO1-+DZ1Ui=15V-DZ2R2+UO2-
(a) (b)
图T1－4
解：（a）uo1 =15－UZ1－UZ2＝2V
（b）DZ2两端的电压小于其反向击穿电压8V，故DZ2截止，uo2 =0V
习题1
1。1 电路如图P1－1所示，设电路中的二极管为理想二极管，试求各电路中的输出电压UAB。 解：
D1D2-10v+R+6V-A+UAB-BD1-10vD2+R+6V-A+UAB-B (a) (b) 图P1－1 （a） D1截止，D2导通，故uAB =6V （b） D1导通，D2截止，故uAB = -10V 1．3 选择填空
⑴.硅材料的N型半导体中加入的杂质是 C 元素，锗材料的P型半导体中加入的杂质是 A 元素。
A. 三价 B. 四价 C. 五价
⑵．PN结正向偏置时，空间电荷区将 B 。 A. 变宽 B. 变窄 C. 不变
⑶．场效应管的夹断电压UP=-10V，则此场效应管为 A 。
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A. 耗尽层 B. 增强型 C 结型
⑷．某晶体管的发射结电压大于零，集电结也电压大于零，则它工作在 C 状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和
⑸. N沟道结型场效应管的导电载流子是 A 。 A. 电子 B. 空穴 C. 电子和空穴 ⑹. 场效应管是一种 B 控制型器件。 A. 电流 B. 电压 C. 光电
⑺. N沟道结型场效应管放大时，栅源之间的PN结 B 。 A. 应正偏， B. 应反偏， C. 应零偏。
⑻. 对于结型场效应管，当?UGS???UP?，那么管子将工作在 C 区。
A. 可变电阻 B 恒流 C. 夹断 D. 击穿 解：（1）C A （2）B （3）A （4）C （5）A （6） B （7）B （8） C
1．4 两只硅稳压二极管的正向电压均为0.5伏，稳定电压分别为UZ1 =6V，UZ2 =8V，若与一电阻串联后接入直流电源中，当考虑稳压管正负极性的不同组合时，可获得哪几种较稳定的电压值。
解：两个稳压管组合可以有14V, 6.5V, 8.5V, 1V四种输出电压
1．6解：电路如图P1－6所示，其中R=2KΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定压UZ1、UZ2分别为5V、10V，正向压降为0.6V，不计稳压管的动态电阻和耗散功率，试求各电路输出电压。
R+15V-+DZ1DZ2UO1-R+15V-DZ1+DZ2UO2-
(a) (b)
(c) (d)
图P1－6
R+15V-DZ1DZ2R+UO3-R+15V-DZ2DZ1+RUO4-解：
（a）DZ1反向击穿，DZ2截止，故uo1 =5V （b）DZ1正偏，DZ2截止，故uo2 =0.6V （c）DZ1反向击穿，DZ2截止，故uo3 =0V
（d）DZ1反向击穿，DZ2反向击穿，故uo4 =5V
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1．7电路如图P1－7所示 ，已知稳压管DZ的稳定电压UZ =6V，稳定电流的最小值Izmin =5mA，最大值Izmax =20mA，(1)当Ui =8V时，求R的范围；(2)当R=1KΩ时，求Ui的范围。 解： （1） Rmax?Ui-UZ8-6??0.4k? Imin5?1000Ui-UZ8-6??0.1k? Imax20?1000 Rmin?（2） Uimin?RImin?UZ?1?103?5?10-3?6?11V
1．11 已知处于放大状态的晶体管的三个电极对公共参考点的电压为U1、U2、U3，如图P1
－11所示，试分别判断它们是NPN型或PNP型？是硅管还是锗管？并标出三个电极的符号。
U1U2U3U1U2U3T3U1U2T1U1U2U3T4U3T2图P1－11
解：（1）NPN型 硅管 U1、U2、U3分别是B、E、C上的电压 （2）NPN型 锗管 U1、U2、U3分别是B、E、C上的电压 （3）PNP型 硅管 U1、U2、U3分别是C、B、E上的电压 （4）PNP型 锗管 U1、U2、U3分别是C、B、E上的电压
1．12已测得三极管的各极电位如图P1－12所示，试判别它们各处于放大、饱和与截止中的哪种工作状态？
- 6V0.3V(d)0.6V- 1.3V(e)- 1V- 1.1V5V(f)5V0V6V0.7V(a)0V2V(b)10V- 6V10V- 6.4V(c)- 6.7V
图P1－12
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