15.5.3 特性曲线
1输入特性曲线：
IB?f(UBE)|UCE?C死区电压：
硅管：0.5伏左右，锗管0.1伏左右。
正常工作时，发射结的压降：
NPN型硅管UBE=0.6~0.7V;PNP型锗管UBE=-0.2~-0.3V。
IB/μA8060UCE>1
4020
0 0.4 0.8 UBE/V
15.5.3 特性曲线
2 输出特性曲线
IC?f(UCE)|IB?C晶体管的输出特性曲线是一组曲线。
4IC/mA100380602
401
20μAIB=0UCE/V03
6
9
12
15.5.3 特性曲线
晶体管的输出特性曲线分为三个工作区：
（1）放大区（线性区）
IC/mA（1）放大区
4（2）截止区输出特性曲线的近似水平部分。（3）饱和区3
100806040放大区IC?βIB2
_发射结处于正向偏置；集电结处于反向偏置120μAIB=00
3
6
9
UCE/V12
15.5.3 特性曲线
（2）截止区
4IB=0曲线以下的区域为截止区IB=0 时，IC=ICEO3〈0.001mAIC/mA10080602
40对NPN型硅管而言，当UBE〈0.5V时，即已开始截止，为了截止可靠，常使UBE小于等于零。截止区120μAIB=0UCE/V0
3
6
9
12
