半导体二极管及其应用电路
1．半导体的特性
自然界中的各种物质,按导电能力划分为:导体、绝缘体、半导体。半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。它具有热敏性、光敏性（当守外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化）和掺杂性(往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显变化)。利用光敏性可制成光电二极管和光电三极管及光敏电阻;利用热敏性可制成各种热敏电阻;利用掺杂性可制成各种不同性能、不同用途的半导体器件,例如二极管、三极管、场效应管等。 2．半导体的共价键结构
在电子器件中,用得最多的材料是硅和锗,硅和锗都是四价元素,最外层原子轨道上具有4个电子,称为价电子。每个原子的4个价电子不仅受自身原子核的束缚,而且还与周围相邻的4个原子发生联系,这些价电子一方面围绕自身的原子核运动,另一方面也时常出现在相邻原子所属的轨道上。这样,相邻的原子就被共有的价电子联系在一起,称为共价键结构。 当温度升高或受光照时,由于半导体共价键中的价电子并不像绝缘体中束缚得那样紧,价电子从外界获得一定的能量,少数价电子会挣脱共价键的束缚,成为自由电子,同时在原来共价键的相应位置上留下一个空位,这个空位称为空穴, 自由电子和空穴是成对出现的,所以称它们为电子空穴对。在本征半导体中,电子与空穴的数量总是相等的。我们把在热或光的作用下,本征半导体中产生电子空穴对的现象,称为本征激发,又称为热激发。
由于共价键中出现了空位,在外电场或其他能源的作用下,邻近的价电子就可填补到这个空穴上,而在这个价电子原来的位置上又留下新的空位,以后其他价电子又可转移到这个新的空位上。为了区别于自由电子的运动,我们把这种价电子的填补运动称为空穴运动,认为空穴是一种带正电荷的载流子,它所带电荷和电子相等, 符号相反。由此可见, 本征半导体中存在两种载流子:电子和空穴。而金属导体中只有一种载流子——电子。本征半导体在外电场作用下,两种载流子的运动方向相反而形成的电流方向相同。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度时影响半导体性能的一个重要的外部因素。 3．杂质半导体
1) N型半导体（电子半导体）：在纯净的半导体硅（或锗）中掺入微量五价元素（如磷）后,就可成为N型半导体。在这种半导体中,自由电子数远大于空穴数,导电以电子为主,故此类半导体亦称电子型半导体。
2) P型半导体（空穴半导体）：在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素杂质,如硼（或铟）等。硼原子只有3个价电子,它与周围硅原子组成共价键时,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空穴。这个空穴与本征激发产生的空穴都是载流子,具有导电性能。在P型半导体中,空穴数远远大于自由电子数,空穴为多数载流子(简称“多子”),自由电子为少数载流子(简称“少子”)。导电以空穴为主,故此类半导体又称为空穴型半导体。空穴得到电子带正电。
4. PN结及其单向导电特性
4.1. PN 结的形成
在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺,一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体。在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层,称为空间电荷区,并产生内电场,其方向是从N区指向P区,内电场的建立阻碍了多数载流子的扩散运动,随着内电场的加强,多子的扩散运动逐步减弱,直至停止,使交界面形成一个稳定的特殊的薄层,即PN结。因为在空间电
荷区内多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,因此空间电荷区又称为耗尽层。
4.2. PN结的单向导电特性
在PN结两端外加电压,称为给PN结以偏置电压。
4.2.1) PN结正向偏置： 给PN结加正向偏置电压,即P区（空穴）接电源正极,N区（电子）接电源负极,此时称PN结为正向偏置(简称正偏),由于外加电源产生的外电场的方向与PN结产生的内电场方向相反,削弱了内电场,使PN结变薄,有利于两区多数载流子向对方扩散,形成正向电流,此时PN结处于正向导通状态。
4.2.2) PN结反向偏置：给
PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏), 由于外加电场与内电场的方向一致,因而加强了内电场,使PN结加宽,阻碍了多子的扩散运动。在外电场的作用下,只有少数载流子形成的很微弱的电流,称为反向电流。
综上所述,PN结具有单向导电性,即加正向电压时导通,加反向电压时截止。正偏时是多数载流子载流导电，反偏时是少数载流子载流导电。所以，正偏电流大，反偏电流小，PN结显示出单向电性。特别是要重点说明，反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的，甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。为什么呢？大家知道PN结内部存在有一个因多数载流子相互扩散而产生的内电场，而内电场的作用方向（N—P）总是阻碍多数载流子的正向通过，所以，多数载流子正向通过PN结时就需要克服内电场的作用，需要约0.7伏的外加电压，这是PN结正向导通的门电压。而反偏时，内电场在电源作用下会被加强也就是PN结加厚，少数载流子反向通过PN结时，内电场作用方向和少数载流子通过PN结的方向一致，也就是说此时的内电场对于少数载流子的反向通过不仅不会有阻碍作用，甚至还会有帮助作用。这就导致了以上我们所说的结论：反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的，甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。这个结论可以很好解释三极管在饱和状态下，集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位，集电结处于零偏置，但仍然会有较大的集电结的反向电流Ic产生。 5. 半导体二极管的结构、符号及类型
5.1．结构符号 ：二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图5.1所示,在图5.1(b)所示电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向。
5.2．类
型
5.2.1）按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。
5.2.2）按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型（PN结面积小，用于检波
和变频等高频电路）、面接触型二极管（PN结面积大，用于工频大电流整流电路）、平面型二极管（用于集成电路制造工艺中，PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中）。
5.2.4）按封装形式分:有塑封及金属封等二极管 5.2.5）按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管
6. 半导体二极管的命名方法
半导体器件的型号由五个部分组成,如图5.3所示。其型号组成部分的符号及其意义如图。如2AP9,“2”表示电极数为2,“A”表示N型锗材料,“P”表示普通管,“9”表示序号。
7. 半导体二极管的伏安特性
半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏（电压）安（电流）特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。
若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来,就构成二极管的伏安特性曲线,如图5.4所示（图中虚线为锗管的伏安特性,实线为硅管的伏安特性）。
用字母表示规格号用数字表示序号用字母表示类型用字母表示材料和极性用数字表示电极数目5.2.3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。
图7.0下面对二极管伏安特性曲线加以说明。
7.1. 正向特性
二极管两端加正向电压时（P区接正，N区接负）,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区如图5.4中OA(OA′)段。相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。 当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V, 发光二极管的导通电压一般为1．7V以上。如图5.4中AB(A′B′)段。其中0.7V 和0.3V 是二极管的最大正向导通电压——即到此电压时无论电压再怎么升高（不能高于二极管的额定耐压值），加在二极管上的电压也不会再升高了二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。
7.2. 反向特性
二极管两端加上反向电压时（N区接正，P区接负）,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图5.4中OC（OC′）段。
7.3. 反向击穿特性
二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图5.4中CD(C′D′)段。
PN结的反向击穿从机理上说分：齐纳击穿和雪崩击穿，一般对于反压小于4V的击穿称为齐纳击穿，反压大于7V的称为雪崩击穿。
7.4. 二极管的两种模型
7.4.1理想模型：做开关管用
7.4.2恒压降模型：二极管正偏时两端电压基本固定。 7.5. 半导体二极管的主要参数
7.5.1. 最大整流电流IF ：二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。
7.5.2. 最大反向工作电压 UBM ：二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR ， 为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压UBM 一般只按反向击穿电压UBR 的一半计算。
即：正偏电流不能超IF ，反偏电压不能超UBM 。
7.5.3. 反向饱和电流 IR ：硅二极管的反向电流一半在纳安（nA）级；锗二极管在（uA）级。
7.5.4. 正向压降UF ：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。硅二极管约为0.6~0.8V；锗二极管约为0.2~0.3V。
7.5.5. 动态电阻Rd ：反应了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，Rd与工作电流的大小有关，即：Rd=电压的变化Ud除以电流Id的变化。
