1）硒堆保护的具体接法见图3-4。硒堆由硒整流片串联而成，单相时用两组对接后再与电源并联，三相时用三相对接成Y形，或用六组接成D形。
图3-4 硒堆保护的接线
a）单相 b）三相Y联结 c）三相D联结
每组串联的硒片数为
n?(1.3~1.5)U2l Ubr式中，U2l为正常工作时线电压有效值（V）；Ubr为每片硒片的击穿电压，与硒片的型号有关，一般为30～50V。
选择硒片面积A的经验公式为：A?3.9if%I2l(mm)
式中，if%为变压器励磁电流百分比；I2l为变压器二次线电流有效值（A）。
硒片的面积有40×40mm、60×60mm、100×100mm等规格。
2）压敏电阻保护。压敏电阻是一种新型的保护元件，它常用于交、直流侧的过电压保护。其保护线路如图3-5所示。
2
2
2
2 27
图3-5 压敏电阻保护的接法
a）单相 b）三相Y联结 c）三相D联结
压敏电阻选用主要考虑额定电压和通流容量，压敏电阻额定电压的选取通常可按下式计算
U1mA??(0.8~0.9)?（压敏电阻承受的额定电压峰值）
(0.8~0.9)为考虑参数U1mA式中，一般取??1.05~1.10；?为电网电压升高系数，
下降10%而通过压敏电阻的漏电流仍保持在1mA以下，以及考虑整流装置允许过电压的系数。
压敏电阻通流容量可根据整流变压器的空载励磁能量，来选择吸收冲击能量相
图3-6 直流侧过电压保护线路 图3-7 晶闸管换相过电压保护
当的压敏电阻。VYJ型浪涌吸收器（压敏电阻）的额定电压有：100，220，440，760，1000V等。通流容量有：0.5，1，1.5，2，3，4，5KA等。
2．直流侧过电压保护
28
直流侧过电压保护接线方式见图3-6。直流侧与交流侧过电压保护方法相同，元件选择原则也相同。实际中采用压敏电阻保护较为合理。
3．元件换相保护
为防止在换相过程中，被关断的晶闸管出现反向过压，而导致反向击穿。通常在晶闸管元件两端并联RC阻容吸收电路，见图3-7。阻容电路参数可按表3-4选取，电容的耐压一般选取晶闸管实际承受最大电压的1.1～1.5倍。
2电阻功率选择：PR?1.75fCUTm?10?6(W)
表3-4 晶闸管阻容电路经验数据
晶闸管额定电流（A） 电容（?F） 电阻（?） 1000 2 2 500 1 5 200 0.5 10 100 0.25 20 50 0.2 40 20 0.15 80 10 0.1 式中，f为50Hz；UTm为晶闸管工作峰值电压（V）；C为与电阻串联的电容量(?F)。
二、过电流保护
对于晶闸管整流装置，过电流保护设计是很重要的。如果短路或过电流数值过大，而切断的时间稍慢，就会造成晶闸管的损坏。所以过电流保护措施在系统中是必不可少的。过电流保护措施有如图2-18所示数种。下面就几种主要保护措施的适用范围和元件的选择加以说明。
1）流进线中串联电抗器（图3-8中的A）或采用漏抗较大的变压器以限制短路电流，但此种方法在有负载时有较大的压降。
2）利用交流侧电流检测环节（图3-8中B）所得过电流信号送入电流调节器，控制触发脉冲快速后移，从而使晶闸管迅速阻断，达到抑制过电流的目的。
3）交流侧经电流互感器接入过电流继电器或直流侧接入过电流继电器（图3-8
29
中是B和F），过电流时继电器动作，跳开交流接触器或输入端的自动开关。这种方法只有在短路电流不大时才能起到保护作用。
交流侧 整流主回路 直流侧
图3-8 晶闸管装置可能采用的几种过电流保护措施
A-进线电抗器限流 B-电流检测和过流继电器 C-交流侧快速熔断器 D-元件串联快速熔断器
E-直流侧快速熔断器 F-过流继电器 G-直流快速开关
4）对大、中容量设备，以及经常逆变的场合，采用直流快速开关作直流侧过载和适中保护。快速开关的开关机构动作时间只有2ms，完全分断电弧的时间也不过25～30ms，它是目前较好的过流保护装置。在晶闸管直流调速中，可按电动机额定电流选用。
5）快速熔断器是最简单有效的短路保护元件，是防止晶闸管损坏的最后一道防线。快速熔断器的接法有安装在交流侧、与元件串联、安装在直流侧三种，见图3-9。
a)
b)
图3-9 快速熔断器的接法
c)
a)交流侧快速熔断器 b)与器件串联快速熔断器 c)直流侧快速熔断器
30
