1.1.1 5V输入容限
当使用LVTTL 3.3V、LVCMOS 3.3V、LVCMOS 2.5V和LVCMOS 2.5V配置时，I/O可以支持5V的输入容限（详见表 错误！文档中没有指定样式的文字。.1）。推荐4种方法（有关板和宏设置的详情见图 错误！文档中没有指定样式的文字。.1到图 错误！文档中没有指定样式的文字。.4）来获得5V的接收器容限。所有的解决方法都满足一个共同的要求：将I/O输入的电压限制到小于或等于3.6V。实际上，I/O绝对最大电压的额定值是3.6V，任何大于3.6V的电压可能造成长时间的栅氧化层（gate oxide）故障。
? 方法1
板级设计要求确保端口上反映出来的波形不能超出错误！未找到引用源。给出的限制。这是一个实现长期可靠性的需求。
这个机制也可以用在一个3.3V PCI/PCI-X的配置中，但是内部二极管不应当用来箝位，必须通过2个外部电阻对电压进行限制，具体见下面的说明。利用二极管的箝位可以创建一个过大的端口DC电压：3.3V＋0.7V＝4V。
这里给出了一些可能的电阻值的例子（由一个没有线路影响的简化模拟模型得到，发送器输出电阻为10?，其中Rtx_out_high＝(VCCI－VOH)/ IOH，Rtx_out_low＝VOL/IOL）。
? 例1（高速、高电流）：
Rtx_out_high＝Rtx_out_low＝10? R1＝36?(+/-5﹪),P(r1)min＝0.069?
R2＝82?(+/-5﹪),P(r2)min＝0.158?
Imax_tx＝5.5V/(82*0.95+36*0.95+10)=45.04mA
当C_pad_load＝10pF时tRISE=tFALL=0.85ns（包括高达25﹪的安全区）
当C_pad_load＝50pF时tRISE=tFALL=4ns（包括高达25﹪的安全区）
? 例2（中-低速、中等大小的电流）：
Rtx_out_high＝Rtx_out_low＝10?
R1＝220?(+/-5﹪),P(r1)min＝0.018? R2＝390?(+/-5﹪),P(r2)min＝0.032?
Imax_tx＝5.5V/(220*0.95+390*0.95+10)=9.17mA
当C_pad_load＝10pF时tRISE=tFALL=4ns（包括高达25﹪的安全区） 当C_pad_load＝50pF时tRISE=tFALL=20ns（包括高达25﹪的安全区）
只要当发送器发送一个逻辑‘1’时电阻的大小能够合适地将接收端的电压限制到2.5V ProASIC3 I/O 输入 片外 5 . 5 V 片上 3 . 3 V R e xt 1 R e xt 2 ，需要 2 个板电阻 LV C MO S 3 . 3 V I/ O 图 错误！文档中没有指定样式的文字。.1 方法1 ? 方法2 板级设计要求确保端口上反映出来的波形不能超出错误！未找到引用源。给出的限制。这是一个实现长期可靠性的需求。 这个机制也可以用在一个3.3V PCI/PCIX的配置中，但是内部二极管不应当用来箝位，必须通过外部电阻和齐纳二极管对电压进行限制，如图 错误！文档中没有指定样式的文字。.2所示。利用二极管的箝位可以创建一个过大的端口DC电压：3.3V＋0.7V＝4V。 ProASIC3 I/O 输入 片外 5 .5 V 片上 3 .3 V Rext1 Zener 3. 3 V 需要1 个板电阻， 1 个 3 .3 V 齐纳二极管， LVCMOS 3 . 3 V I/ O 图 错误！文档中没有指定样式的文字。.2 方法2 ? 方法3 板级设计要求确保端口上反映出来的波形不能超出错误！未找到引用源。给出的限制。这是一个实现长期可靠性的需求。 这个机制也可以用在一个3.3V PCI/PCIX的配置中，但是内部二极管不应当用来箝位，必须通过总线开关对电压进行限制，如图 错误！文档中没有指定样式的文字。.3所示。利用二极管的箝位可以创建一个过大的端口DC电压：3.3V＋0.7V＝4V。 ProASIC3 I/O 输入 片外 总线开关 I D T Q S 3 2 X2 3 5 . 5 V 片上 3 . 3 V 5 . 5 V 板上需要 1 个总线开关 LV T T L / LV C M O S 3 . 3 V I / O 图 错误！文档中没有指定样式的文字。.3 方法3 ? 方法4 ProASIC3 I/O输入片外5.5 V片上2.5 V片上箝位二极管2.5 VRext1需要板上一个电阻，适用于LVCMOS 2.5V/5V I/O 图 错误！文档中没有指定样式的文字。.4 方法4 表 错误！文档中没有指定样式的文字。.1 I/O热切换和5V输入容限功能 方法 1 2 3 板元件 2个电阻 电阻和3.3V的齐纳二极管 总线开关 电阻2 4 TJ＝70℃时R＝250? TJ＝85℃时R＝500? TJ＝100℃时R＝1000? 注： 1. 2. 速度和电流消耗随着板电阻值的降低而增加。 电阻值确保了I/O二极管的长期可靠性。 低速 速度 低到高速1 中等速度 高速 电流限制 受发送器驱动强度的限制 受发送器驱动强度的限制 N/A 二极管电流 TJ＝70℃时为12mA TJ＝85℃时为6mA TJ＝100℃时为3mA 1.1.2 5V输出容限 ProASIC3 I/O必须设置成3.3V LVTTL或3.3V LVCMOS模式来可靠驱动5V TTL的接收器。还有一点至关重要，没有外部I/O上拉电阻连接到5V，因为这个电阻会将I/O端口电压拉高超过3.6V的绝对最大值，进而造成I/O的损坏。 当ProASIC3 I/O设置成3.3V LVTTL或3.3V LVCMOS模式时，它们就能直接驱动信号到5V TTL的接收器。事实上，在3.3V LVTTL和3.3V LVCMOS模式下的VOL=0.4V和VOH=2.4V超出了5V TTL接收器的VIL=0.8V和VIH=2V的电平要求。因此，5V TTL接收器可以正确识别出电平‘1’和电平‘0’。
