22．有一低频小功率合金晶体管，用N型Ge作基片，其电阻率为1.5?cm，用烧铟合金方法制备发射区和集电区，两区掺杂浓度约为3×1018/cm3，求ro（已知Wb=50?m，Lne=5?m）。
23.某一对称的P+NP+锗合金管，基区宽度为5?m，基区杂质浓度为5×1015cm-3，基区空穴寿命为10?s（AE=AC=10-3cm2）。计算在UEB=0.26V、UCB=-50V 时的基极电流IB？求出上述条件下的α0和β0（r0≈1）。 24已知均匀基区硅NPN晶体管的γ0=0.99，BUCBO=150V,Wb=18.7?m，基区中电子寿命тb=1us（若忽略发射结空间电荷区复合和基区表面复合），求α0、β0、β0*和BUCEO（设Dn=35cm2/s ).
25.已知NPN双扩散外延平面晶体管，集电区电阻率ρc=1.2Ωcm，集电区厚度Wc=10?m，硼扩散表面浓度NBS=5×1018cm-3，结深Xjc=1.4?m。求集电极偏置电压分别为25V和2V时产生基区扩展效应的临界电流密度。
26.已知P+NP晶体管，其发射区、基区、集电区德杂质浓度分别为5×1018cm-3、2×1016cm-3、1×1015cm-3，基区宽度Wb=1.0?m，器件截面积为0.2mm2,当发射结上的正向偏压为0.5V，集电结反向偏压为5V时，计算：（1）中性基区宽度？（2）发射结少数载流子浓度？ 27.对于习题26中的晶体管，少数载流子在发射区、基区、集电区德扩散系数分别为52cm2/s、40cm2/s、115cm2/s，对应的少数载流寿命分别为10-8s、10-7s、10-6s，求晶体管的各电流分量？
28.利用习题26、习题27所得到的结果，求出晶体管的端点电流IE、
IC和IB 。求出晶体管的发射效率、基区输运系数、共基极电流增益
和共发射极电流增益，并讨论如何改善发射效率和基区运输系数？ 29.判断下列两个晶体管的最大电压的机构是否穿通： 晶体管
1：BUCBO=105V;BUCEO=96V； BUEBO=9V;；BUCES=105V
(BUCES为基极发射极短路时的集电极 发射极击穿电压) 晶体管2：BUCBO=75V； BUCEO=59V； BUEBO=6V。
