4第四章习题

2026/1/11 22:32:19

第四章练习题

一、选择题

1.磁盘属于 D 类型的存储器。

A.随机存取存储器(RAM) B.只读存储器(ROM) C.顺序存取存储器(SAM) D.直接存取存储器(DAM)

2.以下器件中存取速度最快的是 C 。

A.Cache B.主存 C.寄存器 D.磁盘

3.下列叙述中 A 是正确的。

A.主存可由RAM和ROM组成 B.主存只能由RAM组成 C.主存只能由ROM组成 D.都不对

4.在存储器分层体系结构中,存储器从速度最快到最慢的排列顺序是 D 。 A.寄存器-主存-Cache-辅存 B.寄存器-主存-辅存-Cache C.寄存器-Cache-辅存-主存 D.寄存器-Cache-主存-辅存

5.存储器进行一次完整的读写操作所需要的全部时间称为 B 。 A.存取时间 B.存取周期 C.CPU周期 D.机器周期

6.用户程序所放的主存空间属于 A 。

A.随机存取存储器(RAM) B.只读存储器(ROM) C.顺序存取存储器(SAM) D.直接存取存储器(DAM)

7.下面有关系统主存的叙述中,错误的是 D 。 A.RAM是可读可写存储器,ROM是只读存储器

B.ROM和RAM的访问方式相同,都采用随机访问方式进行读写 C.系统的主存由ROM和RAM组成

D.系统的主存都是由DRAM芯片实现的

8.静态半导体存储器SRAM指 D 。

A.在工作过程中,存储内容保持不变 B.在断电后信息仍能维持不变 C.不需要动态刷新 D.芯片内部有自动刷新逻辑

9.半导体静态存储器SRAM的存储原理是 A 。

A.依靠双稳态电路 B.依靠定时刷新 C.依靠读后再生 D.信息不再变化

10.和静态RAM相比,动态RAM具有 B 优点。

A.容量能随应用任务需要动态变化 B.成本低、功耗低 C.掉电后内容不会丢失 D.内容不需要再生

11.DRAM的刷新是以 B 为单位进行的。

A.存储单元 B.行 C.列 D.存储元

12.某SRAM芯片,其存储容量为64K×16位,该芯片的地址线和数据线数目为 D 。 A.64、16 B.16、64 C.64、8 D.16、16

13.某SRAM芯片,其存储容量为16K×32位,其地址线和数据线的总数和是 D 。 A.32 B.48 C.18 D.46

14. 某SRAM芯片,其存储容量为512×8位,包括电源端和接地线,该芯片引出线的数目应该为 D 。

A.23 B.25 C.50 D.19

15.在存储器芯片中,地址译码采用双译码方式是为了 D 。 A.扩大寻址范围 B.减少存储单元数目

C.增加存储单元数目 D.减少存储单元选通线数目

16.设机器字长为32位,存储容量为16 MB,若按双字编址,其寻址范围是( B )。 A.8 MB B.2M C.4M D.1M

17.若主存每个存储单元存8位数据,则( B )。

A.其地址线也为8位 B.其地址线与8无关 C.其地址线为16位 D.其地址线与8有关

18.在计算机系统中,Cache是被设置在( )和( )之间,用于解决( )读写速度慢,跟不上( )快速取得指令或数据的矛盾;通常选用( )存储器芯片实现。它与主存储器的读写原理不同,执行写入操作时,在把有关( )信息写入选中的Cache的某一单元时,还应该将与这一信息相关的( )信息或其中一部分写入与之对应的标志字段;在执行读出操作时,不能仅仅通过对原本用于读存储器的地址信息进行译码去选择Cache的某一单元来取得所需要的数据,还必须通过检查Cache的有关单元的标志位的值,才能确定得到的是否是所要求的数据,这是因为Cache的( )单元对应( )的多个存储单元。依据被读单元的内容或其一部分来判断得到的是否是所需要的数据的原理运行的存储器被称为( )存储器。 A.数据 B.一个 C.主存地址 D.可以

E.多个 F.主存储器 G.不可以 H.中央处理器(CPU) I.ROM J. 静态 K. 动态 L. RAM M. 不可以 N. 高位 O. 低位 P. 控制 Q.读/写 R. 运行 S. 关联(相联)


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