半导体材料结课论文——PECVD技术浅论
PECVD技术 如今已经发展为多种多样，大致可分为直接法与间接法，其中直接法又可以分为管式PECVD系统和板式PECVD系统；间接法又分为微波法和直流法。
PECVD的优缺点
PECVD技术作为最为广泛使用的沉积膜方法，具备很多优势： 1.均匀性和重复性好，可大面积成膜； 2.可在较低温下成膜； 3.台阶覆盖优良；
4.薄膜成分和厚度轻易于控制； 5.适用范围广，设备简单，易于产业化； 6.高效率，低成本等。
但同时，PECVD也有其不可忽视的劣势： 1.要求有较高的本地真空； 2.防止交叉污染；
3.原料气体具有腐蚀性，可燃性，爆炸性，易燃性和毒性，应采取必要的保护措施。
PECVD技术原理深入纳米级，穷究原理纷繁复杂，难以在几千字中道尽，本人能力学术有限，只能浅尝辄止，权当抛砖引玉，希望能对初了解此项技术的朋友有所帮助。
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半导体材料结课论文——PECVD技术浅论
参考文献：
PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究-太阳能-2013年 第1期 (3) 非晶硅锗薄膜太阳能电池研究-新乡学院学报：自然科学版-2012年 第6期 (4)
适用于晶体硅太阳能电池的HF／LF—PECVD SiNx：H薄膜的特性研究-枣庄学院学报-2013年 第2期
Preparation of H-terminated and aminated diamond like carbon surfaces-稀有金属：英文版-2012年 第2期 (4)
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