3 场效应管
自我检测题
一．选择和填空
1. N沟道和P沟道场效应管的区别在于 C 。 （A．衬底材料前者为硅，后者为锗， B．衬底材料前者N型，后者为P型，C．导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴）
2. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流 小 ；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的 小 。
3．结型场效应管的栅源之间通常加 反向 偏置电压，因此栅极电流很小；绝缘栅型场效应管的栅源之间有一层 SiO2绝缘层 ，因此栅极静态电流几乎等于零。
4. 图选择题4中，（a）电路中场效应管的类型是 N沟道增强型绝缘栅场效应管，VDD
的极性为 正 ；（b）电路中场效应管的类型是 N沟道结型场效应管 ，VDD的极性为 正 ；（c）电路中场效应管的类型是 P沟道耗尽型绝缘栅场效应管 ，VDD的极性为 负 。
VDDdgsgsdVDDVDDdgs( a )( b )( c )
图选择题4
5.在放大状态下，双极型晶体管的发射结处于 正向 偏置，集电结处于 反向 偏置；结型场效应管的栅源之间加有 反向 偏置电压，栅漏之间加有 反向 偏置电压。
6.双极型晶体管的发射极电流放大系数β反映了 基 极电流对 集电 极电流的控制能力；而单极型场效应管常用 跨导gm 参数反映 栅源电压对 漏极电流 的控制能力。
7. 场效应管的 栅 极电流远小于双极型管的基极电流，因此共源放大的电路的输入电阻远 大 于共射放大电路的输入电阻。
8．结型场效应管利用半导体器件的 内部 电场效应进行工作，MOSFET利用半导体器件的 表面 电场效应进行工作。
9．双极型晶体管从结构上可以分成_NPN和 PNP两种类型，工作时有 多子 和 少子两种载流子参与导电。场效应管从结构上可以分成 结型 和 绝缘栅型 两大类型，因导电沟道的不同每一大类又可分为 N沟道 和 P沟道 两类，无论哪一类场效应管的导电过程都仅仅取决于 多数 载流子的运动。
二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．场效应管的优点是有很高的输入电阻。 （ √ ） 2．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。 （ √ ） 3． 耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。 （ × ）
4．用双极型晶体管组成的共射放大电路与用场效应管组成的共源放大电路相比，前者的输入电阻比后者大。 （ × ）
5. 小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换（ √ ）；双极型晶体管具有NPN或PNP对称结构，所以发射极和集电极也可以互换。（ × ）
6. 场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区。 （ √ ） 7．N沟道结型场效应管的vGS越负，iD越小，vGS不可为正（ √ ）；N沟道增强型绝缘栅场效应管的vGS也一样。（ × ）
8．场效应管是单极型电压控制器件，即使栅极电流为零，也可正常放大。 （ √ ）
iD?gmvGS，9．场效应管是电压控制器件，这是个线性方程，所以它是线性器件。 （ × ） 10．场效应管的输出电阻特别高。 （ × ）
习题
3.1定性画出图题3.1两种场效应管的转移特性曲线，并说明曲线与横坐标交点的含义。
diDdiD gvGSs( a )gvGSs( b )
图题3.1
解：
iDiDuGSuGSVP0( a )VP0( b )
3.2已知场效应管的输出特性如图题3.2所示。试求管子的下列参数： （1）夹断电压VP或开启电压VT； （2）饱和漏极电流IDSS或IDO
（3）vGS?4V时的漏源击穿电压VBR(DS)； （4）vDS?10V、iD?3mA附近时的跨导gm。
iD/mA6420vGS=6V5.5V5V4.5V4V3V15vDS/V20510
图题3.2
解：N沟道增强型MOSFET （1）开启电压VT=3V
（2）vGS?2VT=6V时，IDO≈5.5mA （3）vGS?4V时的漏源击穿电压VBR(DS)≈18V （4）gm≈?ID≈3.8?2.4mS＝2.8mS
?UGS5.5?5
3.3图题3.3所示是三种不同类型的场效应管的转移特性曲线，试判断它们各属于什么类型的场效应管。
diDgvGSos( a )( b )( c )vGSiDoiDvGSiDovGS
图题3.3
解：
（a）N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 （b）P沟道结型场效应管
（c）P沟道增强型绝缘栅场效应管
3.4在由一个双极型晶体管和一个MOS场效应管组成的共射和共源放大电路中，测得T1和T2管的各电极对地静态电位如图题3.4所示，试判断T1和T2管的类型，用相应的管子符号填入图中。
-6V-0.7V-0.7VT1T26V
图题3.4
解： T1为PNP型三极管，发射极接地，基极电位为-0.7V；T2为场效应管，源极接地，
栅极电位为-0.7V。
T2T1
