（1）分别计算各极的静态工作点； （2）画出电路微变等效电路；
（3）计算总的电压增益AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
解：T1为N沟耗尽型MOSFET，T1构成共源放大电路；T2为NPN三极管，构成共射、放大电路。
（1）第一放大级的静态工作点：
?VGSQ?VG?VS?0V?2??VGSQ? ?IDQ?IDSS?1???IDSS?2mAVP????V?VDD?IDQRD?30?2?2?26V?DSQ第二放大级的静态工作点：
VB?Rb12?VCC??30?2.7V
Rb1?Rb22?20ICQ?IEQ? IBQ?VBQ?VBERe?2.7?0.7?22.7mA0.088ICQ??VCEQ?VCC22.7 ?284?A80?ICQ(Re?Rc)?30?22.7(0.088?0.5)?16.7V（2）画出电路微变等效电路如图4.7.7所示；
图 4.7.7
（3）计算总的电压增益AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
gm?2IdID??DSSdVGSVP?VGSQ?1?VP??2?2?0???1?????1mS ，
?4??4??rbe?rbb'??1???26mV26mV?300??1?80??0.39k?， IE22.7mARi2?Rb1Rb2rbe?2200.39?0.33k?，
AV1??gm(RdRi2)??1?20.33??0.28，
AV2?Vo2?RC80?0.5??????102， Vi2rbe0.39AV?AV1AV2??0.28???102??28.56，
Ri?Ri1?Rg?3.3M?，
Ro?Ro2?RC?0.5k?。
