备注
低功耗模式下，当V33不低于2.7V时，RAM中的数据不会丢失。
2. 直流电气特性
在V33 = 3.3V ??10%，TA = -40 / 85 °C（除非有其他特殊要求）的情况下，有表2.1-5所示的直流特性。
表2.1-5 直流特性
标记 参数 输入高电平CMOS 输入高电平 输入低电平CMOS 输入低电平 备注 滞后（或非滞后） P0.15（唤醒） 滞后（或非滞后） P0.15（唤醒） 数值 最小值 典型值 最大值 0.7 V33 1.8 0.4 0.3 V33-0.8 V33-0.8 0.8 0.5 100 100 0.3 V33 0.7 1.2 0.4 0.4 单位 VIH VIL VHYS VOH VOL V V V V V V V V kΩ kΩ 输入滞后CMOS施密特触发 输入滞后施密特触发 输出高电平高电流引脚 输出高电平标准电流引脚 输出低电平高电流引脚 输出低电平标准电流引脚 P0.15（唤醒） Push Pull, IOH= 8mA Push Pull, IOH= 4mA Push Pull, IOL= 8mA Push Pull, IOL= 4mA 在0.5V33情况下测量 在0.5V33情况下测量 RWPU 弱上拉电阻 RWPD 弱下拉电阻
3. 交流电气特性
在V33 = 3.3V ??10%，TA = 27 °C（除非有特殊要求）的情况下，有以下交流电气特性。
表2.1-6 功耗
数值 标记 参数 状态 最小值 IDDRUN 运行模式电流 IDDWFI IDDLP IDDSTP IDDSB1 IDDSB0 WFI模式电流 LPWFI模式电流 STOP模式电流 STANDBY模式电流 STANDBY模式电流 MCLK=50 MHz 1 MHz 系统时钟 32 kHz 系统时钟 主电源稳压器关闭，Flash处于掉电状态 低功耗并使用32kHz晶振 低功耗、低电压探测器工作，并且32kHz晶振被旁路 典型值 见表2.1-6 3 200 100 15 最大值 100 6 30 单位 mA mA μA μA μA 3 10 μA 备注 IDDRUN是指内核发挥最高性能时的功耗（内核以最大频率运行）。IDDWFI是PLL关闭，电源稳压器工作，片内FLASH上电时的功耗，它与最小中断相应事件有关。IDDLP是PLL、主电源稳压器和FLASH均关闭时的功耗。
表2.1-7 IDDRUN 的典型数据测量值，TA=25°C
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所有外设时钟使能（复位配置） 频率 在RAM中执行代码 MCLK=1 MHz PCLK=1 MHz MCLK=8 MHz PCLK=8 MHz MCLK=16 Hz PCLK=8 MHz MCLK=48MHz PCLK=6 MHz MCLK=64 Hz PCLK=8 MHz 15 19 所有外设时钟禁止 在RAM中执行代码 11 15 在FLASH中执行代码 15 20 在FLASH中执行代码 11 17 单位 23 27 19 23 mA 43 53 40 50 53 N/A 48 N/A V33 = 3.3V ± 10%, TA = -40 / 85 °C的情况下，有下表中的数据。
表2.1-8 AC交流电气特性
数值 标记 参数 状态 最大值 在RAM或者外部存储器中执行 fMCLK CPU频率 在片内FLASH中执行 在片内FLASH中执行（带有擦除编程功能） BURST模式禁止（FLASHLP位＝1） fPCLK fCK APB外设时钟 时钟输入引脚 典型值 最小值 66 50 45 33 33 16 MHz 单位 4. Flash电气特性 V33 = 3.3 ± 10%，TA = -40 / 85 °C情况下有下表。
表2.1-9 FLASH编程/擦除特性1
数值 标记 参数 测试环境 典型值 40 60 1.6 130 2.3 1.9 0.7 0.6 8.0 6.6 Max（C0） 2.1 170 4.0 3.3 1.1 1.0 13.7 11.2 μs μs S ms S S S 单位 tPW tPDW tPB0 tPB1 tES tES tES 字编程 双字编程 BANK0编程（256k） 双字编程 BANK1编程（16k） 扇区擦除（64k） 扇区擦除（8k） 双字编程 擦除已编程过或者未编程过的FLASH 擦除已编程过或者未编程过的FLASH BANK0擦除（256k） 擦除已编程过或者未编程过的FLASH 22
tES tRPD tPSL tESL BANK1擦除（16k） 调电恢复 编程挂起反映时间 擦除挂起反映时间 擦除已编程过或者未编程过的FLASH 0.9 0.8 1.5 1.3 20 10 300 S μs μs μs
5.
外部存储器总线时序 标记 tMCLK tc 参数 CPU时钟周期 数值 1 / fMCLK 存储器周期时间等待态 tMCLK x (1 + [C_LENGTH])
以下数据在V33 = 3.3 ± 10%, TA = -40 / 85 °C（特殊情况除外）得到。
表2.1-11 EMI读操作
标记 tRCR tRP tRDS tRDH tRAS tRAH tRAT tRRT 参数 Read信号有效与CSn信号有效的时间差 Read脉冲的持续时间 Read数据建立时间 Read数据保持时间 Read地址建立时间 Read地址保持时间 Read地址回转时间 RDn信号的回转时间 测试环境 数值 最小值 19.95 98.9 37.6 0.65 1.9 20.15 典型值 tMCLK tC tC 2 1.5×tMCLK 3 tMCLK 最大值 20.8 99.8 38.6 2 3.25 21 单位 ns ns ns ns ns ns ns ns 具体的读时序见图2.1-6、图2.1-7、图2.1-8以及图2.1-9。
表2.1-12 EMI写操作
标记 tWCR tWP tWDS tWDH tWAS tWAH tWAT 参数 WEn信号到CSn信号之间的时间差 Write脉冲时间 Write数据建立时间 Write数据保持时间 Write地址建立时间 Write地址保持时间 Write地址回转时间 测试环境 数值 最小值 20.5 77.55 97.1 20.45 37.9 0.6 1.75 20.05 典型值 tMCLK tC tMCLK +tC tMCLK 1.5×tMCLK 3 3 tMCLK 最大值 22.15 79.85 99.15 22.65 39.15 3 4.1 22.55 单位 ns ns ns ns ns ns ns ns tWWT WEn回转时间 具体的写时序见图2.1-10、图2.1-11、图2.1-12以及图2.1-13。
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图2.1-6 读周期时序（16位总线16位数据）
图2.1-7 读周期时序（16位总线32位数据）
图2.1-8 读周期时序（8位总线16位数据）
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