得 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 总 分 一. 选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D（本大题共 6 小题，每小题2分，总计 12 分 ） 1、从括号中选择正确的答案，用A、B、C填空。 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_C___，而少数载流子的浓度与__A__关系十分密切。（A．温度， B．掺杂工艺 ， C．杂质浓度） 2、从括号中选择正确的答案，用A、B、C填空。 设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。在UD保持不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，ID将_B__。（A．小于10mA， B．大于10mA， C．等于10mA） 3、选择正确的答案用A、B、C填空。 随着温度升高，晶体管的电流放大系数β___A透电流ICEO__A_，在IB不变的情况下b-e结电压UBE_B（ A．增大， B．减小， C．不变） 4、从括号中选择正确答案,用A、B、C填空。 当图示电路中晶体管的β从100降低到80（其它参数不变），电路的电压放大倍数将__C_，输入电阻将_A__，输出电阻将____C（A．增大， B．减小， C．变化不大） +VCCRb2RcC1C2uoRb1ReRLuiRiCb 5、选择填空。 1．直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是???C。 （A．所放大的信号不同，B．交流通路不同，C．直流通路不同） 2．因为变压器耦合放大电路A???（A1．各级静态工作点Q相互独立，B1．Q点相互影响，C1．各级Au相互影响，D1．Au互不影响），所以这类电路?A??（A2．温漂小，B2．能放大直流信号，C2．放大倍数稳定），但是B??（A3．温漂大，B3．不能放大直流信号，C3．放大倍数不稳定）。 6、选择填空。1．正弦波振荡电路利用正反馈产生自激振荡的条件是__A_。 Ro?F?F?F???1） ?＝1， B．A?＝－1 ， C．1＋A（A．A2．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_C__。
?F?＝0，B．A?F?F?F?＝1，C．A?＝－1，D．A?＝?） （A．A二. 判断下列说法是否正确，（本大题共 3 小题，每小题3分，总计 9 分 ）
1、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。
当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真，则输出电压波形将为非正弦（ × ）；输出电压频率与输入电压频率不同（× ）；输出电压相位与输入电压相位不同（ √ ）。
2、判断下列说法的正误，正确画√ ，错误画×。 放大电路的增益带宽积近似为常数是指：
1．当晶体管选定后，放大电路的中频增益和带宽的乘积近似为一个常数。（√ ）
2．当晶体管选定后，在信号频率远大于上限截止频率时，放大电路增益与信号频率乘积近似为一个常数。（ × ）
3、判断下列说法的正误。正确画√ ，错误画×。
由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以图示电路中Rg的大小对中频电压放大倍数几乎没有影响,（√ ）对频率响应特性也几乎没有影响。（ × ）
+VDDRdCRguiVGGRLuo三. 选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D（本大题共4小题，每小题3分，总 计 12 分）
1、从括号中选择正确的答案，用A、B、C、D填空。
N型半导体是在纯净半导体中掺入_D__；P型半导体是在纯净半导体中掺入__C_。 （A．带负电的电子， B．带正电的离子， C．三价元素，如硼等 ， D．五价元素，如磷等）
2、从括号中选择正确的答案，用A、B、C?填空。
某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V时，输出电压为 8V；输入电压为 0.2V时，输出电压为 4V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为__C_____________。
（A．80 ， B．40， C．－40， D．20） 3、选择正确答案，用A、B、C、D填空。 当某阻容耦合放大电路输入一个方波信号时，输出电压波形如图所示，说明该电路出现了__B_；（A.非线性失真， B.频率失真），造成这种失真的原因是C___。（A．晶体管β过大， B．晶体管的特征频率太低， C．耦合电容太小， D．静态工作点不合适）。
ui5.1?k5.1?k+15VOtVT1uIVT2uOuoVT311k?1.8k?Ot3.3?k2k? 15V4、恒流源式差分放大电路如图所示。当1.8k?电位器的滑动端上移时（设整个电路仍工作在放大状态），试就下列问题选择正确答案填空（答案：A．增大，B．减小，C．不变或基本不变）。
1．差模电压放大倍数
Aud＿＿A
2．差模输入电阻Rid＿B；
3．输出电阻Rod＿C。
四. 判断下列说法是否正确（本大题共5小题，每小题2分，总计10分）
1、判断下列说法的正、误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。 1．本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。（√ ）
2．掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。（× ）
2、判断下列说法的正误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。
1．h参数模型可以用于输入为小信号、输出为大信号的情况；（ × ） 2．h参数模型只能用于输入、输出均为低频小信号情况；（ √ ） 3．h参数模型可以用于求解直流放大器的电压放大倍数，（ √ ）也可用于求解直流静态工作点。（ × ）
3、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。
1．由于放大电路的增益带宽积近似为一个常数，所以宽带放大电路的放大倍数一定很低。（ × ）
2．当晶体管和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍数，必会牺牲放大电路的频带宽度。（ √ ）
4、放大电路如图所示，判断以下说法的正误，正确画√，错误画×。
1．当RL减小时，中频增益下降。由于电路的增益带宽积近似为常数，所以上限截止频率会提高。（ √ ）
2．为改善电路的高频响应特性，可以选用特征频率高的晶体管，或增大耦合电容C1、C2。（ × ）
+VCCRbC1.Ui.UoRLRcC2
5、试就多级放大电路的输入电阻和输出电阻判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“√”，不正确的画“×”。
1．如果输入级是共射放大组态，则输入电阻只与输入级有关。（ √ ） 2．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻还与后级有关。（ √ ） 3．如果输出级是共射放大组态，则输出电阻只与输出级有关。（ √ ） 4．如果输出级是共集放大组态，则输出电阻还与前级有关。（ √ ）
得 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 总 分
五. 选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D（本大题共 5 小题，每小题2分，总计 10 分 ） 1、从括号中选择正确的答案，用A、B、C填空。 硅二极管的正向电压从0.65V增大10％，则流过的正向电流增大_C___。（A．约10％， B．小于10％ ， C．大于10％） 2、从括号中选择正确的答案，用A、B、C、D填空。 设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。在ID保持不变的条件下，当二极管的结温降低20℃，UD约为__C__。（A．0.55V， B．0.6V， C．0.65V， D．0.75V） 3、选择正确的答案用A、B、C填空。 U(BR)CBO__ 对于同一个晶体管来说，ICBO__A __ICEO；B___U(BR)CEO。（A．小于， B．大于， C．等于） 4、从括号中选择正确的答案，用A、B、C?填空。 某单管放大电路在负载开路情况下，输入端接1kHz、50mV正弦信号，测得输出电压为 2V（有效值）。当一个阻抗为8?、额定功率为 1W的扬声器接至输出端，扬声器获得的电功率为 __D___（ A．1W ， B．0.5W ， C．0.25W ， D．小于0.25W）。 5、选择正确的答案填空： 1．输入偏置电流IIB是＿C＿。 A．运放两个输入端基极偏置电流之和 B．运放两个输入端基极偏置电流之差 C．运放两个输入端基极偏置电流之平均值 2．在运放中差分输入级静态电流IC一定的情况下，IIB的大小直接反映了差分放大管的B＿＿值。 A．发射结电压UBE B．电流放大系数? C．UBE的失配 D．?的失配 3．IIB越小，则失调电流IIO＿A＿。 A．越小 B．越大 C．不变 六. 判断下列说法是否正确（本大题共 4 小题，每小题3分，总计 12 分 ） 1、判断下列说法的正误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。 1．h参数等效电路法适用于低频小信号情况；（ √ ） 2．图解法适用于高频大信号情况；（ × ） 3．h参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点；（× ） 4．h参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。（× ） 2、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。 1．由于放大电路的增益带宽积近似为一个常数，所以宽带放大电路的放大倍数一定很低。（ × ）
2．当晶体管和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍数，必会牺牲放大电路的频带宽度。（ √ ）
3、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“√”，否则画“×”。 1．阻容耦合放大电路，只能放大交流信号，不能放大直流信号。（ √ ） 2．直接耦合放大电路，只能放大直流信号，不能放大交流信号。（ × ） 3．变压器耦合放大电路，只能放大交流信号，不能放大直流信号。（√ ） 4．集成电路中间级的耦合方式均采用直接耦合方式。（ √ ）
4、试判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“√”，否则画“×”。
1．一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。（√ ） 2．共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。（ × ）
3．对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，发射极电阻Re一概
