MOS管选型
1、预估使用环境温度Tambient
一般情况下取室温25°C，器件附件空气温升10°C， 较差情况下不妨取温度45°C，器件附件空气温升20°C 最差情况下Tambient=65°C 2、计算ID Tambient + Rθ例:ME4970 Rθ
JA =76°C/W
JA * ID * ID * RDS（ON）=Tj
RDS（ON）≤16mΩ （VGS=10V） Tj≤150°C Tambient=65°C
得ID≤8.36A， 与规格书中ID≤8.3A（Tambient=70°C）值很接近 3、关于关键器件温升控制 △T+To+Rθ
JC * ID * ID * RDS（ON）=Tj
To=25°C 室温
△T=45°C器件温升，即MOS表面70°C。 Rθ
JC=46°C/W
RDS（ON）≤16mΩ （VGS=10V） Tj≤150°C 得ID≤10.4A
以上表明，规格书所标注的ID可以直接作为设计参考电流值（Tambient取70°C）。满足温升等要求。也可用到80%，留有一定余量。使用条件不同的，需通过Tambient + Rθ
JA * ID * ID * RDS（ON）=Tj计算
ID。
注：MOS的气候特性，包括juction-to-ambient 和junction-to-case两个参数 juction-to-ambient：是指PN结到环境的温度， junction-to-case：PN结至器件外壳的温度。
