电子线路基础NPN管共基接法
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电子发射示意图
hongfeng@nuaa.edu.cn
电子线路基础(1) 发射区向基区注入电子发射结在正向偏置时，发射区中的多子(自由电子)通过发射结注入到基区，形成电子电流IEN；基区中的多子(空穴)通过发射结注入到发射区，形成空穴电流IEP。因发射结为不对称结，发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度，所以IEN远远大于IEP。2015/12/1626hongfeng@nuaa.edu.cn电子线路基础(2)电子在基区中扩散与复合发射区中的电子(多子)注入到基区后，便从发射结一侧向集电结方向扩散。在扩散过程中又可能与基区中空穴复合，不过由于基区做得很薄，且掺杂浓度低，所以从发射区注入到基区的电子少部分与空穴复合掉，绝大部分到达集电结。2015/12/1627
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电子线路基础(3) 集电区收集电子集电结上加的是反向偏置，在反向电压作用下，在基区中扩散到集电结边缘的电子顺利地漂移通过集电结，形成电流ICN。同时，由于集电结是反向偏置，基区中少数载流子电子和集电区中少数载流子空穴在结电场作用下形成反向饱和电流，用ICBO表示。ICBO的大小取决于少数载流子的浓度，受温度影响很大。2015/12/16
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