A．放大 B．饱和 C．截止 D．不能确定
2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。
A．NPN型低频小功率硅晶体管 B．NPN型高频小功率硅晶体管 C．PNP型低频小功率锗晶体管 D．NPN型低频大功率硅晶体管 3．输入( C )时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。 A．正弦小信号 B．低频大信号 C．低频小信号 D．高频小信号
4．( D )具有不同的低频小信号电路模型。
A．NPN型管和PNP型管 B．增强型场效应管和耗尽型场效应管 C．N沟道场效应管和P沟道场效应管 D．晶体管和场效应管 5．当UGS＝0时，( B )管不可能工作在恒流区。
A．JFET B．增强型MOS管 C．耗尽型MOS管 D．NMOS管 6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B )。 A．N沟道JFET B．增强~AI PMOS管 C．耗尽型NMOS管 D．耗尽型PMOS管 2．3 是非题
1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。( × )
2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。( √ ) 3．EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。( × ) 4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。( √ ) 5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。( √ ) 2．4 分析计算题
1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解：(a)UBE=UB—UE＝0.7—0＝0.7V，发射结正偏；
UBC=UB—UC＝0.7—3＝—2.3 V，集电结反偏
因此晶体管工作在放大状态。
(b) UBE=UB—UE＝2—3＝—1V，发射结反偏；
UBC=UB—UC＝2—5＝—3 V，集电结反偏
因此晶体管工作在截止状态。
(c) UBE=UB—UE＝3—2.3＝0.7V，发射结正偏；
UBC=UB—UC＝3—2.6＝0.4V，集电结正偏
因此晶体管工作在饱和状态。
(d)该管为PNP型晶体管
UEB=UE—UB＝(—2)—(—2.7)＝0.7V，发射结正偏； UCB=UC—UB＝(—5)—(—2.7)＝—2.3V，集电结反偏
因此晶体管工作在放大状态。
2．图T2．2所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的IB、IC、UCE。
解：(a)方法一：
IB?(6?0.7)V?0.053mA
100K? 设晶体管工作在放大状态，则有 IC＝βIB＝100×0.053＝5.3mA
UCE＝12—5.3×3＝—3.9 V<0
说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降UCE(Sat)＝0.3 V，则集电极电流为
ICS?VCC?UCE(sat)RC?12?0.3?3.9mA 1因此可得晶体管的IB＝0.053 mA、IC＝ICS＝3.9 mA、UCE＝UCE(Sat)＝0.3 V 方法二： IB?(6?0.7)V?0.053mA
100K?ICS?VCC?UCE(sat)RCICS??12?0.3?3.9mA 1IBS??3.9?0.039mA 100因为IB>IBS，所以晶体管处于饱和状态，因而有
IB＝0.053 mA、IC＝ICS＝3.9 mA、UCE＝UCE(Sat)＝0.3 V (b) IB?(6?0.7)V?0.0084mA?8.4?A
510K?设晶体管工作在放大状态，则有
IC＝100×0.008 4 mA＝0.84 mA
UCE＝5 V—0.84×3＝2.48 V> UCE(Sat)
说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。
(c)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则IB＝0，IC＝0，UCE＝5 V
3．放大电路如图T2．3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解：(a)将C1、C2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将C1、C2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图 (a)、(b)、(c)所示。
4．场效应管的符号如图T2．4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画
出各管的转移特性曲线。
解：(a)为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图(a)所示，其特点是uGS＝0时，iD＝—IDSS
(b)为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图(b)所示，其特点是uGS＝0时， iD＝0
(c)为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点是uGS＝0时，iD＝IDSS，且uGS≤0
第3章 放大电路基础
3．1 填空题
1．放大电路的输入电压Ui＝10 mV，输出电压U0＝1 V，该放大电路的电压放大倍数为 100 ，电压增益为 40 dB。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越 小 ，输入电压也就越 大 ；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越 小 ，放大电路的负载能力就越 强 。
3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压 同 相，电压放大倍数近似为 1 ，输入电阻 大 ，输出电阻 小 。
4．差分放大电路的输入电压Ui1＝1 V，Ui2＝0.98 V，则它的差模输入电压Uid＝ 0.02 V，共模输入电压UiC＝ 0.99 V。
5．差分放大电路对 差模 输入信号具有良好的放大作用，对 共模 输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移 很小 。
6．乙类互补对称功放由 NPN 和 PNP 两种类型晶体管构成，其主要优点是 效率高 。
7．两级放大电路，第一级电压增益为40 dB，第二级电压放大倍数为10倍，
