???（2）三者互相垂直，而E和H和?构成右手螺旋关系； ???（3）三者中E和H是同方向的，但都与?垂直；
（4）三者中E和H是任意方向的，但都必须与?垂直；
11、（一般综合）（如图所示）闭合曲面S内有—点电荷q，P为S面上一点，在S面外A 点有—点电荷q`，若将q`移至B点，则（ ） (A)穿过S面的电通量改变、P点的电场强度不变；
11题图 ???(B)穿过S面的电通量不变，P点的电场强度改变； (C)穿过S面的电通量和P点的电场强度都不变； (D)穿过S面的电通量和P点的电场强度都改变。
12、（综合）导体处于静电平衡状态时：（ ） （1）导体所带的电荷均匀的分布在导体内； （2）表面曲率较大处电势较高；
（3）导体内部任何一点处的电场强度为零，导体表面处电场强度的方向都与导体表面垂直； （4）导体内部的电势比导体表面的电势低。
13、（简单）电量为q的两等量同种点电荷相距为2 r，它们连线中点的电场强度大小为：（ ）
qq22??r2??r2??0r 00 （1）0 （2） （3） （4）
?q
14、（简单）电场的环路定理
??????E?dl?0l说明了静电场是 （ ）；
（1）无源场； （2）在闭合回路中各点的电场强度为零； （3）有源场； （4）电场是闭合场；
15、（一般综合）一条无限长的直导线带均匀的正电荷，电荷线密度为λ。它在空间任意一点的电场强度（设该点到导线的垂直距离为x）：（ ）
?2???x，方向垂直背离直导线；
（1）0 ； （2）大小为
?2???x，方向垂直指向直导线
（3）无法确定； （4）大小为
16、（简单）关于高斯定理得出的下述结论正确的是 ( )。 (A)闭合曲面内的电荷代数和为零，则闭合曲面上任一点的电场强度必为零； (B)闭合曲面上各点的电场强度为零，则闭合曲面内一定没有电荷； (C)闭合曲面上各点的电场强度仅由曲面内的电荷决定； (D)通过闭合曲面的电通量仅由曲面内的电荷决定。
17、（简单）取无限远处为零电势点，在一对等量同号点电荷连线的中点处 [ ] A．点0的电场强度和电势均为零； B．点0的电场强度和电势均不为零； C．点0的电场强度为零，电势不为零； D．点0的电场强度不为零，电势为零。
18、（一般综合）在负点电荷激发的电场中，将一个电子从电场中某点移到无限远的过程中下述结论正确的是 （ ）
A．电场力对电子做正功，电子的电势能减少； E．电场力对电子做正劝，电子的电势能增加； C．电场力对电子做负功，电子的电势能减少； D．电场力对电子做负功，电子的电势能不变。
19、（简单）在静电场中，若高斯面内净电荷为零，下列说法正确的是：（ ） A、高斯面上各点的场强E只能由高斯面外的电荷产生。
??????qB、表达式??E?dS?仍成立。
s?0C、高斯面上各点的场强E处处为零。 D、以上说法都不正确。
20、（一般综合）已知空间某区域为匀强电场区，下面说法中正确的是( )。 (A)该区域内，电势差相等的各等势面距离不等； (B)该区域内，电势差相等的各等势面距离不一定相等；
(C)该区域内，电势差相等的各等势面距离一定相等； (D)该区域内，电势差相等的各等势面一定相交。
21、（一般综合）两个同号的点电荷相距r，要使它们的电势能增加一倍，则应该 [ ] A．电场力做功使点电荷之间的距离增大为2r B。电场力做功使点电荷之间的距离增大为4r c．外力做功使点电荷之间的距离减少为r／2 D．外力做功使点电荷之间的距离减少为r／4
22、（一般综合）一平行板电容器充电以后与电源断开，然后减小两极板之间的距离，则[ ]
A．极板上的电荷减少． B．两极板之间的电场强度不变 C．电容器的电容量减少 D．电容器储存的能量不变
23、（简单）在任意静电场中，下列说法正确的是 [ ]. A. 通过某一面元的电场线数越多，面元所在处的电场越强；
B. 通过与电场线垂直的面元的电场线数越多，面元所在处的电场越强； C. 面元所在处的电场线越密，该处的电场越强；
D. 通过与电场线垂直的单位面积的电场线越多，则该处的电场越强．
24、（一般综合）下列说法正确的是 [ ] A. 检验电荷q0在静电场中某点的电势能越大，则该点的电势就越高；
B. 静电场中任意两点间的电势差的值，与检验电荷q0有关，q0越大，电势差值也越大； C. 静电场中任一点电势的正、负与电势零点的选择有关，任意两点间的电势差与电势零
点的选择无关；
D. 静电场中任意两点间的电势差与电势零点的选择有关，对不同的电势零点，电势差有 不同的数值．
计算题
1、（一般综合）求无限长载流圆柱体内、外的磁场分布。设圆柱体半径为R，电流I均匀流过圆柱体截面。
解：因在圆柱导体截面上的电流均匀分布，而且圆柱导体为无限长。所以，磁场以圆柱导体轴线为对称轴，磁场线在垂直于轴线平面内，并以该类平面与轴线交点为中心的同心圆，如图所示。利用安培环路定理对半径为r的环路列方程有
?B?dl?B?2?r???I ?0li当r?R时，环路l包围的电流：
?I?I
i圆柱体外任一点P的磁感应强度B??0I 2?rIr22当r?R时，?I??r?2I，故 2?RRi?0r2?0rIB??2I?2?rR2?R2
2、（综合）在半径为R1和R2的两个同心球面上，分别均匀地分布着电荷Q1和Q2，如图所示。试分别求： Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域的电势分布。
（见书中236页：[例7-10]）
3、（一般综合）（如图）一半径为R1的实心球体均匀带有电量+Q（电荷为体积分布），若其外还有一半径为R2的同心球面，也均匀带有电量-Q，求其周围空间的电场分布 解：由于电荷分布是球对称的，所以电场强度的分布也是球对称的。因此
在电场强度的空间中任意点的电场强度的方向沿径矢，大小则依赖于 从球心到场点的距离。即在同一球面上的各点的电场强度的大小是相 等的。以球心到场点的距离为半径作一球面。
则通过此球面的电通量为：?e?根据高斯定理，有：?e?2E?dS?4? rE ??s计算题2图
2E?dS?4? rE???s?q?0Q内
计算题3图
43Qr3?r?3，由高斯定理可得电场强度为： 当场点在球体内时 即r?R1时，?q内?4R?R333E1?Qr (r?R1) 34??0R当场点在球体与球面之间时，由于
?q内?Q
