2010中国LED上游产业市场调研报告[附图表]
2011-04-20 16:37:28 文章来源：GLII 我来说两句 (0)
? 导读: 上游产业作为整个产业链的开始端，提供原材料和外延芯片的设计和生产。根据微 笑曲线理论，上游往往是利润相对丰厚、竞争缓和的链条，掌握着核心技术，因此也具有 相对较高的进入壁垒，这也是历来投资者偏爱的原因。 上游产业作为整个产业链的开始端，提供原材料和外延芯片的设计和生产。根据微 笑曲线理论，上游往往是利润相对丰厚、竞争缓和的链条，掌握着核心技术，因此也具有 相对较高的进入壁垒，这也是历来投资者偏爱的原因。然而上游也会出现供给过多、竞争 加剧的情况，甚至受制于下游需求的变化，无法主动去开拓新的需求或市场。
作为典型高技术、高成本、高利润、高风险的“四高”环节，外延和芯 片一直是全球LED产业的关注热点。从目前整体产业技术水平及趋势来看，外延及芯片技术 尚处于发展的初级阶段，材料改良、出光效率提升、成本控制以及颠覆性的改变仍然是下 一阶段产业面临的机遇和挑战。
进入到产业的最上游，不仅是少数资本丰厚的内资企业的选择，而且已经成为外资 企业在国内扩张的最佳选择。上游圈地，从2010年开始已经成为必然的趋势，至少1-3年内 这种趋势还会进一步加剧，一场看不见硝烟的上游争夺战正在上演。当然在这个过程中， 也不排除有些企业趁机“圈地”套现，骗取政府项目资金。据GLII不完全统计 ，2010年前9个月国内LED上游企业累计完成设备投资额超过20亿元，占总投资的23%。
目前LED上游产业经历了欧、美、日初期技术积累和台湾代工大规模量产两个阶段 ，从去年开始台资企业陆续把上游产业转移到大陆，不管圈地运动最终结果如何，其为中 国LED产业带来的改变都需要被认真思考。随着资本密集度的明显增加，产业竞争层次必然 会随之上升，国内原有的产业格局必将迎来一次真正的变革。 衬底：受益蓝光需求，蓝宝 石领涨衬底材料
总体来说国内外延芯片技术已经有了很大的进步。由于上市公司三安光电、德豪润 达、士兰明芯、乾照光电的优异表现，带动了投资界对上游的巨大投入。2010年初至今， 对MOCVD的投入超过了历史总和，即订购机台数超过了现存的MOCVD的机台数。由此带动了 对蓝宝石衬底、MO源及气体等外延原材料的需求，国内也兴起了对原材料的投资热潮。
尽管MOCVD设备台数与LED产量息息相关，但从2010年年初开始则是以蓝宝石及砷化 镓等衬底的数量来决定外延片出货量，通过扩大MOCVD投资来增加产能已经变得没有意义。
2008年全球蓝宝石衬底年用量仅200万片，至2009年下半年月用量就达150万片，成 长速度惊人。2009年底时全球每月需求量(2英寸)已达 250万片，这已接近当时全球蓝宝石 晶体生长总产能，供需基本平衡。以目前蓝宝石在LED外延衬底应用率达80~85%、2010全球 实际新增MOCVD机台数750台计算(平均42片机)，蓝宝石衬底需求量将新增2800万片，而实 际产能只新增约1000万片，GLII预估2010全年将维持蓝宝石衬底供不应求的局面，到2011 年3季度，这种局面有可能出现缓和。
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目前全球蓝宝石衬底需求仍以2英寸最大，台湾厂商也都以2英寸为主，而日本
企业 大多是3英寸，韩厂则有相当比例为4英寸。GLII预计到今年底2英寸蓝宝石月需求量约在 500万片左右，2011年开始受4英寸MOCVD的影响，出货量开始显著增长，未来4英寸蓝宝石 的需求量将加大，同时2英寸的需求量将有可能出现快速下降(4英寸外延片的芯片产出量约 为2英寸的4倍)。符合成本效益的4英寸蓝宝石衬底将是未来3年LED芯片及终端照明应用产 品价格下降的主要推动力，同时芯片的产量也将成倍增长。而更大尺寸的衬底将受制于外 延及芯片加工设备，短期内不会有快速增长的状况。
截至2010年8月，位居全球前十的蓝宝石供应商亚洲占据七席，拥有57%的市场份额 。同时亚洲也是蓝宝石最大的消费地，仅台湾和日韩企业就分别用去了销量的58%和19%。
企业名称 日本京瓷 Rubicon Namiki Monocrystal Saint-Gobain 韩国STC 台湾越峰 韩国Astek 鑫晶钻 中美晶 合晶 云南蓝晶 重庆四联(欧洲厂) 青岛嘉星晶电 2010年产能(万片) 550 500 450 400 300 240 200 120 160 72 120 100 50 50 重庆四联内地项目：无公开计划。 国内2011年投产项目 江苏欧亚蓝宝光电：计划1-2年内达到年产120万片蓝宝石基片，3-5年达到年产300-400万片蓝宝石基片。 2011年产能(万片) 700 650 500 450 350 420 350 250 240 240 180 150 100 70 香港协鑫集团：总投资30亿元，形成2000万片蓝宝石晶体生长及相关产品产能。一期投资10亿元建设蓝宝石晶体生长及切片项目，采用泡生法生产工艺，形成1000万片蓝宝石晶体产能。 山西长治虹源科技：拉晶厂房将于2010年9月30日竣工，到2011年蓝宝石项目将装备蓝宝石晶体生长炉200台，形成300万片衬底的生产能力。 山东联电：无量产，无具体产能规模公布。 进入2010年，蓝宝石衬底价格已经连续3个季度上涨，中、韩、台厂商大举增装 MOCVD，造成今年第4季度全球蓝宝石仍面临不小的供需缺口。根据GLII估计，供需缺口达 30%，以2寸的晶棒计算，价格从第2季的7美元上涨至第三季度的14美元，增长超过50%，而 第4季价格可能上涨到20-25美元之间。2010年造成蓝宝石缺货涨价的原因在于背光源的渗 透率迅速提升，而背光源几乎都以蓝光LED(蓝宝石衬底)加荧光粉作为白光背光源，因而造 成蓝光LED需求上升。
相比蓝宝石衬底的供应紧张，砷化镓衬底因红黄光芯片需求稳定，过去一年并没有 出现太大的价格波动。而SiC衬底因目前全球只有CREE在大批量使用，也不存在供求失衡及 价格大幅波动的情况。
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目前以上三种衬底材料在国内均有一些研究院所在进行技术开发，但只有少量企
业 在生产，而且量产规模普遍偏小，产品在品质上与进口产品仍有一些差距。其中砷化镓目 前国内大规模量产只有7家左右，其中中科晶电供应量较大(国内红黄光外延及芯片老大乾 照光电的唯一供应商)，SiC具备量产能力的只有天富热电，中科院物理所、山东大学则在 这个方面具备一定的科研实力。
蓝宝石晶体方面，国内主要有哈尔滨奥瑞德、云南蓝晶、成都东峻、天津赛法、深 圳奥普、苏州天力、浙江巨化、扬州华夏、重庆川仪、北京国晶辉、天通股份等，工艺多 为泡生法和火焰法，多数产品以窗口材料为主，基本不具备基板的大批量供货能力。2008 年重庆四联集团收购了霍尼韦尔蓝宝石加拿大的工厂，成为国内首个拥有大尺寸规格蓝宝 石衬底的供应商，但其工厂的年产能只有50万片，供应能力非常有限。四联的此次收购尽 管弥补了国内蓝宝石加工的切、磨、抛等环节缺失的问题，但其在国内能否成功复制仍尚 需时日。
MO源、氨气：3年内仍大部分 依赖进口
目前LED外延生产用MO源主要靠进口，国内虽然也有MO源，但是目前国内企业外延 工程师大多数来自台湾，一般不会轻易换掉过去习惯使用的原材料，同时国产气源在纯度 及产能上仍和外资企业存在差距。
国内唯一能提供高纯度MO源的江苏南大光电材料的年产能达到4吨，尽管产能远落 后于国外大厂，但价格及运输成本是国产气源的最大优势。截至2010年9月，全球前4大
MO 源提供商中陶氏化学(2009年收购美国罗门哈斯公司RohmHuss)、SAFC Hitech在内地均建有 工厂，阿克苏诺贝尔及日本住友暂时无建厂计划。
陶氏化学今年已在其美国工厂显著增加TMG的产量，此外还在韩国建立了一座新工 厂以应付长远的产能需求，新工厂将于2011年运营。根据陶氏化学拟定的长期生产计划， TMG的产能每年可增加60吨。
到2010年2季度阿克苏诺贝尔美国工厂的TMG产量已经较去年同期增长一倍。 SAFC Hitech将投资200万美元，扩大其在英国工厂的TMG产量。
江苏南大光电2010年将有一条新的TMG生产线投入建设，预计产能为10吨，10月开 始试产，并于年底投入运营，届时南大光电的高纯TMG年产量将达到15吨。公司计划在2011 年将适时再建1-2条TMG生产线以进一步扩充产能，届时产能预期是40吨左右。 目前我国大部分LED外延厂所用的进口氨，基本上来自普莱克斯、APCI和日本昭合 电工这三家厂商。其中日本昭和电工全球市场份额为30%，到2010年年底氨气将从3400吨约 增至2倍，达到7200吨。昭和电工透露，其已在日本和美国取得了使用含水率低的氨气制造 GaN类化合物半导体的技术专利，并正在韩国和台湾进行专利申请。此举可能加速昭和市场 份额的扩张。
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国内目前只有北京氧气厂等少数企业是唯一真正用于LED大规模实用化生产流
水线 的氨生产厂，预计在今年年底，随着国内外延厂大量MOCVD设备的陆续安装到位，国产氨用 量也将大规模攀升。
MOCVD：疯狂的订单和按部就 班的供货
从2009年下半年开始，全球LED背光源需求暴涨，尤其是日韩厂商。三星及LG积极 抢占市场占有率，带动国内电视厂商纷纷转战LED背光电视，使得LED TV渗透率大幅超出预 期，导致台湾外延芯片厂订单爆满，进而将多余订单转移到内地厂。
厂商 大陆投资企业 冠铨(山东)光电 常州武进项目 晶电 晶宇光电(厦门)有限公司 晶科电子(广州)有限公司 亿冠晶(福建)光电有限公司 西安鼎元神光光电科技有限公司 鼎元 河南光维新电子有限公司 福建产业园项目 璨圆 江苏璨扬光电有限公司 地区 山东 江苏 福建 广东 福建 陕西 河南 福建 江苏 成立时间 2009年12月 2010年3月 2010年3月 2010年4月 2010年6月 2009年12月 2010年5月 2010年8月 2009年12月 实际投资金额及持股比例 800万美元，50% 6000万美元，50% 追加1600万美元，100% 266万美元 250万元美金，10% 200万美元，20% 75万美元，25% 4.5亿美元 2700万美元，45%
