DEFECT:使用能带缺陷模型
DEGRADATION：规定MOS器件退化模型参数 DOPING：掺杂描述
ELECTRODE：指定先前定义的网格中的电极的名字和位置
ELIMINATE:减少网格点密度而消除一些沿着长方形网络边线的格点 EXTRACT：are used to measure parameters from both LOG and Solution files. FOURIER：使用傅里叶变换 GO：
IMPACT：specifies and set parameters for impact ionization models.
INTERFACE：设置半导体和绝缘体界面的参数
INTTRAP：activates interface defect traps at discrete energy levels within the bandgap of the semiconductor and sets their parameter values LOAD LOG
???太多了，还是看Manual吧 PS：altas是一个希腊神话中的擎天神。
