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13．光刻技术定出孔洞，以溅射法或真空蒸发法，依次沉积钛+氮化钛+铝+氮化钛等多层金属。(其中还会考虑到铝的表面氧化和氯化物的影响)。由于铝硅固相反应，特别对浅的PN结难以形成漏电流(leak current)小而稳定的接触，为此使用TiN等材料，以抑制铝硅界面反应，并有良好的欧姆，这种材料也称为势垒金属(barrier metal)。
14．RIE刻蚀出布线格局。以类似的方法沉积第二层金属，以二氧化硅绝缘层和介电层作为层间保护和平坦表面作用。
15．为满足欧姆接触要求，布线工艺是在含有5-10%氢的氮气中，以400-500度以温度下热处理15-30分钟(也称成形forming)，以使 铝和硅合金化。最后还要定出PAD接触窗，以便进行bonding工作。(上述形成的薄膜厚度的计算可采用光学衍射、倾斜研磨、四探针法等方法测得)。
IC layout
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八、触发器的分类
双稳态器件有两类：一类是触发器，一类是锁存器。锁存器是触发器的原始形式。基本锁存器由一对互耦的逻辑门组成。
用或非门组成的基本RS触发器（上图）
(b)电路结构 （c）图形符号
用与非门组成的基本RS触发器（上图）
（a）电路结构 （b）图形符号
在基本锁存器基础上可以形成具有一定抗干扰能力的脉冲选通锁存器。IC layout
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(a) (b)
同步RS触发器（上图） （a）电路结构 （b）图形符号
将两个脉冲选通锁存器级联起来可以形成抗干扰能力更强的主从触发器。
(a)
(b)
主从结构RS触发器（上图） （a）电路结构 （b）图形符号
IC layout
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边沿触发器也是在脉冲选通锁存器的基础上形成的。由于构思巧妙，在门电路数量与主从触发器相差无几的情况下，边沿触发器具备了无可比拟的抗干扰能力。
电压波形图（上图）
触发器按逻辑功能分，有RS、JK、T、D等若干种。
RS触发器的状态转换图（上图）
IC layout
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